Félvezetőszilícium-karbid (SiC) lapkák, ez az új anyag fokozatosan megjelent az elmúlt években, egyedülálló fizikai és kémiai tulajdonságaival új életerőt adott a félvezetőiparnak.SiC ostyákA monokristályokat nyersanyagként használó kémiai gőzleválasztással (CVD) gondosan termesztik, megjelenésük lehetőséget ad magas hőmérsékletű, nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű elektronikai eszközök gyártására.
A teljesítményelektronika területénSiC ostyáknagy hatásfokú áramátalakítók, töltők, tápegységek és egyéb termékek gyártásához használják. A kommunikáció területén nagyfrekvenciás és nagysebességű rádiófrekvenciás eszközök és optoelektronikai eszközök gyártására használják, ezzel szilárd alapkövét fektetve le az információs korszak autópályájának. Az autóelektronika területén,SiC ostyáknagyfeszültségű, rendkívül megbízható autóelektronikai eszközök létrehozása a vezető vezetési biztonságának kísérésére.
A technológia folyamatos fejlődésével a gyártási technológia aSiC ostyákegyre érettebbé válik, az ára pedig fokozatosan csökken. Ez az új anyag nagy lehetőségeket rejt magában az eszköz teljesítményének javításában, az energiafogyasztás csökkentésében és a termékek versenyképességének javításában. Előre tekintve,SiC ostyákfontosabb szerepet fog játszani a félvezetőiparban, nagyobb kényelmet és biztonságot hozva életünkbe.
Várjuk ezt a fényes félvezető csillagot - SiC szeletet, hogy a tudományos és technológiai fejlődés jövője leírhasson egy ragyogóbb fejezetet.
Feladás időpontja: 2023.11.27