Félvezetőszilícium-karbid (SiC) lapkák, ez az új anyag fokozatosan megjelent az elmúlt években, egyedülálló fizikai és kémiai tulajdonságaival új életerőt adott a félvezetőiparnak.SiC ostyákA monokristályokat nyersanyagként használó kémiai gőzleválasztással (CVD) gondosan termesztik, megjelenésük lehetőséget ad magas hőmérsékletű, nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű elektronikai eszközök gyártására.
A teljesítményelektronika területénSiC ostyáknagy hatásfokú áramátalakítók, töltők, tápegységek és egyéb termékek gyártásához használják. A kommunikáció területén nagyfrekvenciás és nagysebességű rádiófrekvenciás eszközök és optoelektronikai eszközök gyártására használják, ezzel szilárd alapkövét fektetve le az információs korszak autópályájának. Az autóelektronika területén,SiC ostyáknagyfeszültségű, rendkívül megbízható autóipari elektronikai eszközöket hozzon létre a vezető vezetési biztonságának kísérésére.
A technológia folyamatos fejlődésével a gyártástechnológia aSiC ostyákegyre érettebbé válik, az ára pedig fokozatosan csökken. Ez az új anyag nagy lehetőségeket rejt magában az eszköz teljesítményének javításában, az energiafogyasztás csökkentésében és a termékek versenyképességének javításában. Előre tekintve,SiC ostyákfontosabb szerepet fog játszani a félvezetőiparban, nagyobb kényelmet és biztonságot hozva életünkbe.
Várjuk ezt a fényes félvezető csillagot - SiC ostyát, hogy a tudományos és technológiai fejlődés jövője leírhasson egy ragyogóbb fejezetet.
Feladás időpontja: 2023.11.27