A félvezető szilícium-karbid (SiC) lapkák, ez az új anyag fokozatosan jelent meg az elmúlt években, egyedülálló fizikai és kémiai tulajdonságaival új életerőt adott a félvezetőiparnak.A monokristályokat alapanyagként használó SiC ostyákat kémiai gőzleválasztással (CVD) gondosan termesztik, megjelenésük lehetőséget ad magas hőmérsékletű, nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű elektronikai eszközök gyártására.
A teljesítményelektronika területén a SiC lapkákat nagy hatásfokú áramátalakítók, töltők, tápegységek és egyéb termékek gyártásához használják.A kommunikáció területén nagyfrekvenciás és nagysebességű rádiófrekvenciás eszközök és optoelektronikai eszközök gyártására használják, ezzel szilárd alapkövét fektetve le az információs korszak autópályájának.Az autóelektronika területén a SiC lapkák nagyfeszültségű, rendkívül megbízható autóelektronikai eszközöket hoznak létre a vezető vezetési biztonsága érdekében.
A technológia folyamatos fejlődésével a SiC lapkák gyártási technológiája egyre kiforrottabb, az ár pedig fokozatosan csökken.Ez az új anyag nagy lehetőségeket rejt magában az eszköz teljesítményének javításában, az energiafogyasztás csökkentésében és a termékek versenyképességének javításában.A jövőre nézve a SiC lapkák fontosabb szerepet fognak játszani a félvezetőiparban, nagyobb kényelmet és biztonságot hozva életünkbe.
Várjuk ezt a fényes félvezető csillagot – SiC szeletet, hogy a tudományos és technológiai fejlődés jövője egy még ragyogóbb fejezetet írhasson le.
Feladás időpontja: 2023.11.27