termékleírás
Cégünk biztosítjaSiC bevonatCVD módszerrel végzett feldolgozási szolgáltatások grafit, kerámia és egyéb anyagok felületén, így speciális szén- és szilíciumtartalmú gázok magas hőmérsékleten reagálva nagy tisztaságú SiC-molekulákat, a bevont anyagok felületén lerakódó molekulákat képeznek.SIC védőréteg.
Főbb jellemzői:
1. Magas hőmérsékletű oxidációállóság:
az oxidációval szembeni ellenállás még 1600 C-os hőmérsékleten is nagyon jó.
2. Nagy tisztaságú: kémiai gőzleválasztással készült magas hőmérsékletű klórozási körülmények között.
3. Erózióállóság: nagy keménység, tömör felület, finom részecskék.
4. Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
A CVD-SIC bevonat főbb specifikációi
| SiC-CVD tulajdonságai | ||
| Kristályos szerkezet | FCC β fázis | |
| Sűrűség | g/cm³ | 3.21 |
| Keménység | Vickers keménység | 2500 |
| Szemcseméret | μm | 2~10 |
| Kémiai tisztaság | % | 99.99995 |
| Hőkapacitás | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Szublimációs hőmérséklet | ℃ | 2700 |
| Felexurális Erő | MPa (RT 4 pontos) | 415 |
| Young's Modulus | Gpa (4 pont kanyar, 1300 ℃) | 430 |
| Hőtágulás (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Hővezető | (W/mK) | 300 |
-
Magas hőmérsékletű SiC bevonatú epitaxiális reaktor B...
-
SiC bevonatú grafit hordó az epitaxiális növekedéshez
-
LMJ microjet lézer technológiai berendezés
-
SiC bevonatú félvezető epitaxiális reaktor ...
-
Grafit melegítő forró zóna/grafit meleg mező, kb...
-
Reakció szinterezett szilícium-karbid ostyahajó