Mint az egyik alapvető összetevőjeMOCVD berendezés, a grafit alap a szubsztrátum hordozója és fűtőteste, amely közvetlenül meghatározza a filmanyag egyenletességét és tisztaságát, így minősége közvetlenül befolyásolja az epitaxiális lemez elkészítését, és ezzel egyidejűleg a fóliák számának növekedésével. felhasználás és a munkakörülmények változása miatt nagyon könnyen viselhető, a fogyóeszközök közé tartozik.
Bár a grafit kiváló hővezető képességgel és stabilitással rendelkezik, alapkomponensként jó előnye vanMOCVD berendezés, de a gyártási folyamatban a grafit korrodálja a port a korrozív gázok és fémes szerves anyagok maradéka miatt, és a grafit alap élettartama jelentősen csökken.Ugyanakkor a lehulló grafitpor szennyezi a forgácsot.
A bevonat technológia megjelenése biztosítja a felületi porrögzítést, javítja a hővezető képességet és kiegyenlíti a hőeloszlást, ami a probléma megoldásának fő technológiája lett.Grafit alap beMOCVD berendezéshasználati környezetben a grafit alapfelületi bevonatnak meg kell felelnie a következő jellemzőknek:
(1) A grafit alap teljesen becsomagolható, és a sűrűsége jó, különben a grafit alap könnyen korrodálódik a korrozív gázban.
(2) A grafittalp kombinációs szilárdsága nagy annak biztosítására, hogy a bevonat ne essen le könnyen több magas és alacsony hőmérsékletű ciklus után.
(3) Jó kémiai stabilitással rendelkezik, hogy elkerülje a bevonat meghibásodását magas hőmérsékleten és korrozív atmoszférában.
A SiC előnyei a korrózióállóság, a magas hővezető képesség, a hősokkállóság és a nagy kémiai stabilitás, és jól működhet GaN epitaxiális atmoszférában.Ráadásul a SiC hőtágulási együtthatója nagyon kevéssé különbözik a grafitétól, ezért a SiC a preferált anyag a grafitbázis felületi bevonására.
Jelenleg a közös SiC főként 3C, 4H és 6H típusú, és a különböző kristálytípusok SiC felhasználása eltérő.Például a 4H-SiC képes nagy teljesítményű eszközöket gyártani;A 6H-SiC a legstabilabb, és képes fotoelektromos eszközök gyártására;A GaN-hez hasonló szerkezete miatt a 3C-SiC felhasználható GaN epitaxiális réteg és SiC-GaN rádiófrekvenciás eszközök gyártására.A 3C-SiC néven is ismertβ-SiC, és ennek fontos felhasználásaβ-SiC filmként és bevonóanyagként, tehátβ-A SiC jelenleg a bevonat fő anyaga.
Feladás időpontja: 2023.11.06