Kínai ostyagyártók, beszállítók, gyár
Mi az a félvezető ostya?
A félvezető lapka egy vékony, kerek szelet félvezető anyagból, amely az integrált áramkörök (IC) és más elektronikus eszközök gyártásának alapjául szolgál. Az ostya lapos és egyenletes felületet biztosít, amelyre különféle elektronikus alkatrészek épülnek.
Az ostyagyártási folyamat több lépésből áll, beleértve a kívánt félvezető anyagból egy nagyméretű egykristály növesztését, a kristály vékony szeletekre vágását gyémántfűrész segítségével, majd az ostyák polírozását és tisztítását a felületi hibák és szennyeződések eltávolítása érdekében. Az így kapott ostyák rendkívül sík és sima felülettel rendelkeznek, ami kulcsfontosságú a későbbi gyártási folyamatokhoz.
Az ostyák elkészítése után egy sor félvezető gyártási folyamaton mennek keresztül, például fotolitográfián, maratáson, lerakáson és adalékoláson, hogy létrehozzák az elektronikus alkatrészek építéséhez szükséges bonyolult mintákat és rétegeket. Ezeket a folyamatokat többször megismétlik egyetlen lapkán, hogy több integrált áramkört vagy más eszközt hozzanak létre.
A gyártási folyamat befejezése után az egyes chipeket úgy választják el, hogy az ostyát előre meghatározott vonalak mentén felkockázzák. A szétválasztott chipeket ezután csomagolják, hogy megvédjék őket, és elektromos csatlakozásokat biztosítsanak az elektronikus eszközökbe való integráláshoz.
Különböző anyagok ostyán
A félvezető lapkák elsősorban egykristályos szilíciumból készülnek annak bősége, kiváló elektromos tulajdonságai és a szabványos félvezetőgyártási eljárásokkal való kompatibilitás miatt. A konkrét alkalmazásoktól és követelményektől függően azonban más anyagok is felhasználhatók ostyák készítésére. Íme néhány példa:
A szilícium-karbid (SiC) egy széles sávszélességű félvezető anyag, amely a hagyományos anyagokhoz képest kiváló fizikai tulajdonságokkal rendelkezik. Segít csökkenteni a különálló eszközök, modulok és akár teljes rendszerek méretét és súlyát, miközben javítja a hatékonyságot.
A SiC főbb jellemzői:
- - Széles sávszélesség:A SiC sávszélessége körülbelül háromszorosa a szilíciuménak, így magasabb hőmérsékleten, akár 400 °C-ig is működhet.
- - Magas kritikus lebontási mező:A SiC a szilícium elektromos mezőjének akár tízszeresét is képes ellenállni, így ideális a nagyfeszültségű eszközökhöz.
- - Magas hővezető képesség:A SiC hatékonyan elvezeti a hőt, segíti az eszközöket az optimális működési hőmérséklet fenntartásában és meghosszabbítja élettartamukat.
- - Magas telítettségű elektronsodródási sebesség:A szilícium kétszeres sodródási sebességével a SiC magasabb kapcsolási frekvenciákat tesz lehetővé, elősegítve az eszközök miniatürizálását.
Alkalmazások:
-
- Erőteljes elektronika:A SiC tápegységek kiválóan teljesítenek a nagyfeszültségű, erősáramú, magas hőmérsékletű és nagyfrekvenciás környezetben, jelentősen javítva az energiaátalakítás hatékonyságát. Széles körben használják elektromos járművekben, töltőállomásokban, fotovoltaikus rendszerekben, vasúti közlekedésben és intelligens hálózatokban.
-
- Mikrohullámú kommunikáció:A SiC-alapú GaN RF eszközök kulcsfontosságúak a vezeték nélküli kommunikációs infrastruktúra, különösen az 5G bázisállomások számára. Ezek az eszközök egyesítik a SiC kiváló hővezető képességét a GaN nagyfrekvenciás, nagy teljesítményű RF kimenetével, így előnyben részesítik őket a következő generációs nagyfrekvenciás távközlési hálózatokban.
gallium-nitrid (GaN)egy harmadik generációs széles sávú félvezető anyag, nagy sávrésszel, nagy hővezető képességgel, nagy elektrontelítési sodródási sebességgel és kiváló letörési térjellemzőkkel. A GaN-eszközök széles körű alkalmazási lehetőségeket kínálnak a nagyfrekvenciás, nagysebességű és nagy teljesítményű területeken, mint például a LED-es energiatakarékos világítás, a lézervetítő kijelzők, az elektromos járművek, az intelligens hálózatok és az 5G-kommunikáció.
Gallium-arzenid (GaAs)egy félvezető anyag, amely magas frekvenciájáról, nagy elektronmobilitásáról, nagy teljesítményéről, alacsony zajáról és jó linearitásáról ismert. Széles körben használják az optoelektronikai és a mikroelektronikai iparban. Az optoelektronikában a GaAs szubsztrátokat LED (fénykibocsátó diódák), LD (lézerdiódák) és fotovoltaikus eszközök gyártására használják. A mikroelektronikában MESFET-ek (fém-félvezető térhatású tranzisztorok), HEMT-k (nagy elektronmobilitású tranzisztorok), HBT-k (heterojunkciós bipoláris tranzisztorok), IC-k (integrált áramkörök), mikrohullámú diódák és Hall-effektus eszközök gyártásában alkalmazzák.
Indium-foszfid (InP)az egyik fontos III-V összetett félvezető, amely nagy elektronmobilitásáról, kiváló sugárzásállóságáról és széles sávszélességéről ismert. Széles körben használják az optoelektronikai és a mikroelektronikai iparban.
