SOI Wafer Silicon On Insulator

Rövid leírás:

A Semicera SOI Wafer (Silicon On Insulator) kivételes elektromos szigetelést és teljesítményt biztosít a fejlett félvezető alkalmazásokhoz. A kiváló hő- és elektromos hatékonyságra tervezett ostyák ideálisak a nagy teljesítményű integrált áramkörökhöz. Válassza a Semicerát a SOI szelettechnológia minőségének és megbízhatóságának érdekében.


Termék részletek

Termékcímkék

A Semicera SOI Wafer (Silicon On Insulator) úgy lett kialakítva, hogy kiváló elektromos szigetelést és hőteljesítményt biztosítson. Ez az innovatív szeletszerkezet, amely szilíciumréteget tartalmaz a szigetelőrétegen, nagyobb teljesítményt és csökkentett energiafogyasztást biztosít, így ideális különféle high-tech alkalmazásokhoz.

SOI lapkáink kivételes előnyöket kínálnak az integrált áramkörök számára azáltal, hogy minimalizálják a parazita kapacitást, és javítják az eszköz sebességét és hatékonyságát. Ez kulcsfontosságú a modern elektronika számára, ahol a nagy teljesítmény és az energiahatékonyság elengedhetetlen mind a fogyasztói, mind az ipari alkalmazásokhoz.

A Semicera fejlett gyártási technikákat alkalmaz, hogy egyenletes minőségű és megbízható SOI szeleteket állítson elő. Ezek az ostyák kiváló hőszigetelést biztosítanak, így olyan környezetben is használhatók, ahol a hőelvezetés aggodalomra ad okot, például nagy sűrűségű elektronikus eszközökben és energiagazdálkodási rendszerekben.

A SOI lapkák használata a félvezetőgyártásban lehetővé teszi kisebb, gyorsabb és megbízhatóbb chipek kifejlesztését. A Semicera precíziós tervezés iránti elkötelezettsége biztosítja, hogy SOI lapkáink megfeleljenek a csúcstechnológiákhoz szükséges magas követelményeknek olyan területeken, mint a távközlés, az autóipar és a fogyasztói elektronika.

A Semicera SOI Wafer választása egy olyan termékbe történő befektetést jelent, amely támogatja az elektronikus és mikroelektronikai technológiák fejlődését. Lapjainkat úgy tervezték, hogy nagyobb teljesítményt és tartósságot biztosítsanak, hozzájárulva csúcstechnológiás projektjei sikeréhez, és biztosítva, hogy az innováció élvonalában maradjon.

Tételek

Termelés

Kutatás

Színlelt

Kristály paraméterek

Politípus

4H

Felületi tájolási hiba

<11-20 >4±0,15°

Elektromos paraméterek

Adalékanyag

n-típusú nitrogén

Ellenállás

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanikai paraméterek

Átmérő

150,0±0,2 mm

Vastagság

350±25 μm

Elsődleges lapos tájolás

[1-100]±5°

Elsődleges lapos hossz

47,5±1,5 mm

Másodlagos lakás

Egyik sem

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Íj

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Elülső (Si-felület) érdesség (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Szerkezet

Mikrocső sűrűsége

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Fém szennyeződések

≤5E10 atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 e/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Elülső minőség

Elülső

Si

Felületkezelés

Si-face CMP

Részecskék

≤60ea/ostya (méret≥0,3μm)

NA

Karcolások

≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő

Összesített hossz≤2*Átmérő

NA

Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés

Egyik sem

NA

Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek

Egyik sem

Politípus területek

Egyik sem

Összesített terület ≤ 20%

Összesített terület ≤30%

Elülső lézeres jelölés

Egyik sem

Hátsó minőség

Hátsó befejezés

C-arcú CMP

Karcolások

≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő

NA

Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások)

Egyik sem

Hát érdesség

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Hátsó lézeres jelölés

1 mm (felső éltől)

Él

Él

Letörés

Csomagolás

Csomagolás

Epi-ready vákuum csomagolással

Több ostyás kazettás csomagolás

*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak.

tech_1_2_size
SiC ostyák

  • Előző:
  • Következő: