A Semicera SOI Wafer (Silicon On Insulator) kiváló elektromos szigetelést és hőteljesítményt biztosít. Ez az innovatív szeletszerkezet, amely szilíciumréteget tartalmaz a szigetelőrétegen, nagyobb teljesítményt és csökkentett energiafogyasztást biztosít, így ideális különféle high-tech alkalmazásokhoz.
SOI lapkáink kivételes előnyöket kínálnak az integrált áramkörök számára azáltal, hogy minimalizálják a parazita kapacitást, és javítják az eszköz sebességét és hatékonyságát. Ez kulcsfontosságú a modern elektronika számára, ahol a nagy teljesítmény és az energiahatékonyság elengedhetetlen mind a fogyasztói, mind az ipari alkalmazásokhoz.
A Semicera fejlett gyártási technikákat alkalmaz, hogy egyenletes minőségű és megbízható SOI lapkákat állítson elő. Ezek az ostyák kiváló hőszigetelést biztosítanak, így olyan környezetben is használhatók, ahol a hőelvezetés aggodalomra ad okot, például nagy sűrűségű elektronikus eszközökben és energiagazdálkodási rendszerekben.
A SOI lapkák használata a félvezetőgyártásban lehetővé teszi kisebb, gyorsabb és megbízhatóbb chipek kifejlesztését. A Semicera precíziós tervezés iránti elkötelezettsége biztosítja, hogy SOI lapkáink megfeleljenek a csúcstechnológiákhoz szükséges magas követelményeknek olyan területeken, mint a távközlés, az autóipar és a fogyasztói elektronika.
A Semicera SOI Wafer választása egy olyan termékbe történő befektetést jelent, amely támogatja az elektronikus és mikroelektronikai technológiák fejlődését. Lapjainkat úgy tervezték, hogy nagyobb teljesítményt és tartósságot biztosítsanak, hozzájárulva csúcstechnológiás projektjei sikeréhez, és biztosítva, hogy az innováció élvonalában maradjon.
Tételek | Termelés | Kutatás | Színlelt |
Kristály paraméterek | |||
Politípus | 4H | ||
Felületi tájolási hiba | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektromos paraméterek | |||
Adalékanyag | n-típusú nitrogén | ||
Ellenállás | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanikai paraméterek | |||
Átmérő | 150,0±0,2 mm | ||
Vastagság | 350±25 μm | ||
Elsődleges lapos tájolás | [1-100]±5° | ||
Elsődleges lapos hossz | 47,5±1,5 mm | ||
Másodlagos lakás | Egyik sem | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Íj | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Elülső (Si-felület) érdesség (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Szerkezet | |||
Mikrocső sűrűsége | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
Fém szennyeződések | ≤5E10 atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 e/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Elülső minőség | |||
Elülső | Si | ||
Felületkezelés | Si-face CMP | ||
Részecskék | ≤60ea/ostya (méret≥0,3μm) | NA | |
Karcolások | ≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő | Összesített hossz≤2*Átmérő | NA |
Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés | Egyik sem | NA | |
Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek | Egyik sem | ||
Politípus területek | Egyik sem | Összesített terület ≤ 20% | Összesített terület ≤30% |
Elülső lézeres jelölés | Egyik sem | ||
Hátsó minőség | |||
Hátsó befejezés | C-arcú CMP | ||
Karcolások | ≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő | NA | |
Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások) | Egyik sem | ||
Hát érdesség | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Hátsó lézeres jelölés | 1 mm (a felső széltől) | ||
Él | |||
Él | Letörés | ||
Csomagolás | |||
Csomagolás | Epi-ready vákuum csomagolással Több ostyás kazettás csomagolás | ||
*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak. |