SiN kerámia sima szubsztrátumok

Rövid leírás:

A Semicera SiN Ceramics Plain Substrates kivételes hő- és mechanikai teljesítményt nyújt a nagy igényű alkalmazásokhoz. A kiváló tartósságra és megbízhatóságra tervezett hordozók ideálisak a fejlett elektronikus eszközökhöz. Válassza a Semicerát az Ön igényeire szabott, kiváló minőségű SiN kerámia megoldásokhoz.


Termék részletek

Termékcímkék

A Semicera SiN Ceramics Plain Substrates nagy teljesítményű megoldást kínál különféle elektronikai és ipari alkalmazásokhoz. A kiváló hővezető képességükről és mechanikai szilárdságukról ismert hordozók megbízható működést biztosítanak igényes környezetben.

SiN (Szilícium-nitrid) kerámiánkat extrém hőmérsékletek és nagy igénybevételek kezelésére tervezték, így alkalmasak nagy teljesítményű elektronikai és fejlett félvezető eszközökhöz. Tartósságuk és hősokkállóságuk ideálissá teszi őket olyan alkalmazásokhoz, ahol a megbízhatóság és a teljesítmény kritikus fontosságú.

A Semicera precíziós gyártási folyamatai biztosítják, hogy minden sima hordozó megfelel a szigorú minőségi előírásoknak. Ez egyenletes vastagságú és felületminőségű aljzatokat eredményez, amelyek elengedhetetlenek az elektronikus szerelvények és rendszerek optimális teljesítményéhez.

A termikus és mechanikai előnyeik mellett a SiN Ceramics Plain Substrates kiváló elektromos szigetelési tulajdonságokkal rendelkezik. Ez minimális elektromos interferenciát biztosít, és hozzájárul az elektronikus alkatrészek általános stabilitásához és hatékonyságához, meghosszabbítva azok élettartamát.

A Semicera SiN Ceramics Plain Substrates kiválasztásával olyan terméket választ, amely ötvözi a fejlett anyagtudományt és a csúcsminőségű gyártást. A minőség és az innováció iránti elkötelezettségünk garantálja, hogy olyan hordozóanyagokat kapjon, amelyek megfelelnek a legmagasabb ipari szabványoknak, és támogatják fejlett technológiai projektjei sikerét.

Tételek

Termelés

Kutatás

Színlelt

Kristály paraméterek

Politípus

4H

Felületi tájolási hiba

<11-20 >4±0,15°

Elektromos paraméterek

Adalékanyag

n-típusú nitrogén

Ellenállás

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanikai paraméterek

Átmérő

150,0±0,2 mm

Vastagság

350±25 μm

Elsődleges lapos tájolás

[1-100]±5°

Elsődleges lapos hossz

47,5±1,5 mm

Másodlagos lakás

Egyik sem

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Íj

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Elülső (Si-felület) érdesség (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Szerkezet

Mikrocső sűrűsége

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Fém szennyeződések

≤5E10 atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 e/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Elülső minőség

Elülső

Si

Felületkezelés

Si-face CMP

Részecskék

≤60ea/ostya (méret≥0,3μm)

NA

Karcolások

≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő

Összesített hossz≤2*Átmérő

NA

Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés

Egyik sem

NA

Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek

Egyik sem

Politípus területek

Egyik sem

Összesített terület ≤ 20%

Összesített terület ≤30%

Elülső lézeres jelölés

Egyik sem

Hátsó minőség

Hátsó befejezés

C-arcú CMP

Karcolások

≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő

NA

Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások)

Egyik sem

Hát érdesség

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Hátsó lézeres jelölés

1 mm (felső éltől)

Él

Él

Letörés

Csomagolás

Csomagolás

Epi-ready vákuum csomagolással

Több ostyás kazettás csomagolás

*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak.

tech_1_2_size
SiC ostyák

  • Előző:
  • Következő: