A Semicera SiN Ceramics Plain Substrates nagy teljesítményű megoldást kínál különféle elektronikai és ipari alkalmazásokhoz. A kiváló hővezető képességükről és mechanikai szilárdságukról ismert hordozók megbízható működést biztosítanak igényes környezetben.
SiN (Szilícium-nitrid) kerámiánkat extrém hőmérsékletek és nagy igénybevételek kezelésére tervezték, így alkalmasak nagy teljesítményű elektronikai és fejlett félvezető eszközökhöz. Tartósságuk és hősokkállóságuk ideálissá teszi őket olyan alkalmazásokhoz, ahol a megbízhatóság és a teljesítmény kritikus fontosságú.
A Semicera precíziós gyártási folyamatai biztosítják, hogy minden sima hordozó megfelel a szigorú minőségi előírásoknak. Ez egyenletes vastagságú és felületminőségű aljzatokat eredményez, amelyek elengedhetetlenek az elektronikus szerelvények és rendszerek optimális teljesítményéhez.
A termikus és mechanikai előnyeik mellett a SiN Ceramics Plain Substrates kiváló elektromos szigetelési tulajdonságokkal rendelkezik. Ez minimális elektromos interferenciát biztosít, és hozzájárul az elektronikus alkatrészek általános stabilitásához és hatékonyságához, meghosszabbítva azok élettartamát.
A Semicera SiN Ceramics Plain Substrates kiválasztásával olyan terméket választ, amely ötvözi a fejlett anyagtudományt és a csúcsminőségű gyártást. A minőség és az innováció iránti elkötelezettségünk garantálja, hogy olyan hordozóanyagokat kapjon, amelyek megfelelnek a legmagasabb ipari szabványoknak, és támogatják fejlett technológiai projektjei sikerét.
Tételek | Termelés | Kutatás | Színlelt |
Kristály paraméterek | |||
Politípus | 4H | ||
Felületi tájolási hiba | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektromos paraméterek | |||
Adalékanyag | n-típusú nitrogén | ||
Ellenállás | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanikai paraméterek | |||
Átmérő | 150,0±0,2 mm | ||
Vastagság | 350±25 μm | ||
Elsődleges lapos tájolás | [1-100]±5° | ||
Elsődleges lapos hossz | 47,5±1,5 mm | ||
Másodlagos lakás | Egyik sem | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Íj | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Elülső (Si-felület) érdesség (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Szerkezet | |||
Mikrocső sűrűsége | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
Fém szennyeződések | ≤5E10 atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 e/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Elülső minőség | |||
Elülső | Si | ||
Felületkezelés | Si-face CMP | ||
Részecskék | ≤60ea/ostya (méret≥0,3μm) | NA | |
Karcolások | ≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő | Összesített hossz≤2*Átmérő | NA |
Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés | Egyik sem | NA | |
Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek | Egyik sem | ||
Politípus területek | Egyik sem | Összesített terület ≤ 20% | Összesített terület ≤30% |
Elülső lézeres jelölés | Egyik sem | ||
Hátsó minőség | |||
Hátsó befejezés | C-arcú CMP | ||
Karcolások | ≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő | NA | |
Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások) | Egyik sem | ||
Hát érdesség | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Hátsó lézeres jelölés | 1 mm (felső éltől) | ||
Él | |||
Él | Letörés | ||
Csomagolás | |||
Csomagolás | Epi-ready vákuum csomagolással Több ostyás kazettás csomagolás | ||
*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak. |