A Semicera Silicon On Insulator (SOI) szeletje a félvezető innováció élvonalába tartozik, fokozott elektromos szigetelést és kiváló hőteljesítményt kínál. A szigetelő hordozón lévő vékony szilíciumrétegből álló SOI-struktúra kritikus előnyöket biztosít a nagy teljesítményű elektronikus eszközök számára.
SOI lapkáinkat úgy tervezték, hogy minimalizálják a parazita kapacitást és a szivárgási áramokat, ami elengedhetetlen a nagy sebességű és kis teljesítményű integrált áramkörök fejlesztéséhez. Ez a fejlett technológia biztosítja, hogy az eszközök hatékonyabban, nagyobb sebességgel és csökkentett energiafogyasztással működjenek, ami elengedhetetlen a modern elektronika számára.
A Semicera által alkalmazott fejlett gyártási eljárások garantálják a SOI ostyák kiváló egyenletességét és konzisztenciáját. Ez a minőség létfontosságú a távközlési, autóipari és fogyasztói elektronikai alkalmazásokban, ahol megbízható és nagy teljesítményű alkatrészekre van szükség.
Az elektromos előnyeik mellett a Semicera SOI lapkái kiváló hőszigetelést kínálnak, fokozzák a hőelvezetést és a stabilitást a nagy sűrűségű és nagy teljesítményű eszközökben. Ez a funkció különösen értékes olyan alkalmazásokban, amelyek jelentős hőtermeléssel járnak, és hatékony hőkezelést igényelnek.
A Semicera Silicon On Insulator Wafer termékének kiválasztásával olyan termékbe fektet be, amely támogatja a legmodernebb technológiák fejlődését. A minőség és az innováció iránti elkötelezettségünk biztosítja, hogy SOI lapkáink megfelelnek a mai félvezetőipar szigorú követelményeinek, és alapot adnak a következő generációs elektronikai eszközök számára.
Tételek | Termelés | Kutatás | Színlelt |
Kristály paraméterek | |||
Politípus | 4H | ||
Felületi tájolási hiba | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektromos paraméterek | |||
Adalékanyag | n-típusú nitrogén | ||
Ellenállás | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanikai paraméterek | |||
Átmérő | 150,0±0,2 mm | ||
Vastagság | 350±25 μm | ||
Elsődleges lapos tájolás | [1-100]±5° | ||
Elsődleges lapos hossz | 47,5±1,5 mm | ||
Másodlagos lakás | Egyik sem | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Íj | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Elülső (Si-felület) érdesség (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Szerkezet | |||
Mikrocső sűrűsége | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
Fém szennyeződések | ≤5E10 atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 e/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Elülső minőség | |||
Elülső | Si | ||
Felületkezelés | Si-face CMP | ||
Részecskék | ≤60ea/ostya (méret≥0,3μm) | NA | |
Karcolások | ≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő | Összesített hossz≤2*Átmérő | NA |
Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés | Egyik sem | NA | |
Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek | Egyik sem | ||
Politípus területek | Egyik sem | Összesített terület ≤ 20% | Összesített terület ≤30% |
Elülső lézeres jelölés | Egyik sem | ||
Hátsó minőség | |||
Hátsó befejezés | C-arcú CMP | ||
Karcolások | ≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő | NA | |
Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások) | Egyik sem | ||
Hát érdesség | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Hátsó lézeres jelölés | 1 mm (a felső széltől) | ||
Él | |||
Él | Letörés | ||
Csomagolás | |||
Csomagolás | Epi-ready vákuum csomagolással Több ostyás kazettás csomagolás | ||
*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak. |