Szilícium Szigetelő ostyán

Rövid leírás:

A Semicera Silicon On Insulator (SOI) szeletje kivételes elektromos szigetelést és hőkezelést biztosít a nagy teljesítményű alkalmazásokhoz. Úgy tervezték, hogy kiváló eszközhatékonyságot és megbízhatóságot biztosítson, ezért ezek a lapkák kiváló választás a fejlett félvezető technológiához. Válassza a Semicerát a legkorszerűbb SOI szelet megoldásokhoz.


Termék részletek

Termékcímkék

A Semicera Silicon On Insulator (SOI) szeletje a félvezető innováció élvonalába tartozik, fokozott elektromos szigetelést és kiváló hőteljesítményt kínál. A szigetelő hordozón lévő vékony szilíciumrétegből álló SOI-struktúra kritikus előnyöket biztosít a nagy teljesítményű elektronikus eszközök számára.

SOI lapkáinkat úgy tervezték, hogy minimalizálják a parazita kapacitást és a szivárgási áramokat, ami elengedhetetlen a nagy sebességű és kis teljesítményű integrált áramkörök fejlesztéséhez. Ez a fejlett technológia biztosítja, hogy az eszközök hatékonyabban, nagyobb sebességgel és csökkentett energiafogyasztással működjenek, ami elengedhetetlen a modern elektronika számára.

A Semicera által alkalmazott fejlett gyártási eljárások garantálják a SOI ostyák kiváló egyenletességét és konzisztenciáját. Ez a minőség létfontosságú a távközlési, autóipari és fogyasztói elektronikai alkalmazásokban, ahol megbízható és nagy teljesítményű alkatrészekre van szükség.

Az elektromos előnyeik mellett a Semicera SOI lapkái kiváló hőszigetelést kínálnak, fokozzák a hőelvezetést és a stabilitást a nagy sűrűségű és nagy teljesítményű eszközökben. Ez a funkció különösen értékes olyan alkalmazásokban, amelyek jelentős hőtermeléssel járnak, és hatékony hőkezelést igényelnek.

Ha a Semicera Silicon On Insulator Wafer termékét választja, olyan termékbe fektet be, amely támogatja a legmodernebb technológiák fejlődését. A minőség és az innováció iránti elkötelezettségünk biztosítja, hogy SOI lapkáink megfelelnek a mai félvezetőipar szigorú követelményeinek, és alapot adnak a következő generációs elektronikai eszközök számára.

Tételek

Termelés

Kutatás

Színlelt

Kristály paraméterek

Politípus

4H

Felületi tájolási hiba

<11-20 >4±0,15°

Elektromos paraméterek

Adalékanyag

n-típusú nitrogén

Ellenállás

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanikai paraméterek

Átmérő

150,0±0,2 mm

Vastagság

350±25 μm

Elsődleges lapos tájolás

[1-100]±5°

Elsődleges lapos hossz

47,5±1,5 mm

Másodlagos lakás

Egyik sem

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Íj

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Elülső (Si-felület) érdesség (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Szerkezet

Mikrocső sűrűsége

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Fém szennyeződések

≤5E10 atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 e/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Elülső minőség

Elülső

Si

Felületkezelés

Si-face CMP

Részecskék

≤60ea/ostya (méret≥0,3μm)

NA

Karcolások

≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő

Összesített hossz≤2*Átmérő

NA

Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés

Egyik sem

NA

Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek

Egyik sem

Politípus területek

Egyik sem

Összesített terület ≤ 20%

Összesített terület ≤30%

Elülső lézeres jelölés

Egyik sem

Hátsó minőség

Hátsó befejezés

C-arcú CMP

Karcolások

≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő

NA

Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások)

Egyik sem

Hát érdesség

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Hátsó lézeres jelölés

1 mm (felső éltől)

Él

Él

Letörés

Csomagolás

Csomagolás

Epi-ready vákuum csomagolással

Több ostyás kazettás csomagolás

*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak.

tech_1_2_size
SiC ostyák

  • Előző:
  • Következő: