Szilícium-nitrid kerámia hordozó

Rövid leírás:

A Semicera szilícium-nitrid kerámia szubsztrátuma kiemelkedő hővezető képességet és nagy mechanikai szilárdságot kínál az igényes elektronikai alkalmazásokhoz. A megbízhatóságra és hatékonyságra tervezett hordozók ideálisak nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás eszközökhöz. Bízzon a Semicerában a kerámia hordozótechnológia kiváló teljesítményében.


Termék részletek

Termékcímkék

A Semicera szilícium-nitrid kerámia szubsztrátuma a fejlett anyagtechnológia csúcsát képviseli, kivételes hővezető képességet és robusztus mechanikai tulajdonságokat biztosít. A nagy teljesítményű alkalmazásokhoz tervezett hordozó kiválóan alkalmas olyan környezetben, ahol megbízható hőkezelést és szerkezeti integritást igényelnek.

Szilícium-nitrid kerámia szubsztrátumainkat úgy tervezték, hogy ellenálljanak a szélsőséges hőmérsékleteknek és a zord körülményeknek, így ideálisak nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás elektronikus eszközökhöz. Kiváló hővezető képességük biztosítja a hatékony hőelvezetést, ami kulcsfontosságú az elektronikus alkatrészek teljesítményének és hosszú élettartamának megőrzéséhez.

A Semicera minőség iránti elkötelezettsége minden általunk gyártott szilícium-nitrid kerámia szubsztrátumban megmutatkozik. Minden hordozót a legmodernebb eljárásokkal gyártanak az egyenletes teljesítmény és a minimális hibák biztosítása érdekében. Ez a magas szintű pontosság támogatja az olyan iparágak szigorú követelményeit, mint az autóipar, a repülőgépipar és a távközlés.

A termikus és mechanikai előnyeik mellett hordozóink kiváló elektromos szigetelési tulajdonságokkal rendelkeznek, amelyek hozzájárulnak az Ön elektronikus eszközeinek általános megbízhatóságához. Az elektromos interferencia csökkentésével és az alkatrészek stabilitásának fokozásával a Semicera szilícium-nitrid kerámia szubsztrátumai döntő szerepet játszanak az eszköz teljesítményének optimalizálásában.

A Semicera szilícium-nitrid kerámia szubsztrátumának kiválasztása azt jelenti, hogy olyan termékbe kell fektetni, amely egyszerre nyújt nagy teljesítményt és tartósságot. Aljzatainkat úgy terveztük, hogy megfeleljenek a fejlett elektronikai alkalmazások igényeinek, biztosítva, hogy eszközei a legkorszerűbb anyagtechnológia és a kivételes megbízhatóság előnyeit élvezzék.

Tételek

Termelés

Kutatás

Színlelt

Kristály paraméterek

Politípus

4H

Felületi tájolási hiba

<11-20 >4±0,15°

Elektromos paraméterek

Adalékanyag

n-típusú nitrogén

Ellenállás

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanikai paraméterek

Átmérő

150,0±0,2 mm

Vastagság

350±25 μm

Elsődleges lapos tájolás

[1-100]±5°

Elsődleges lapos hossz

47,5±1,5 mm

Másodlagos lakás

Egyik sem

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Íj

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Elülső (Si-felület) érdesség (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Szerkezet

Mikrocső sűrűsége

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Fém szennyeződések

≤5E10 atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 e/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Elülső minőség

Elülső

Si

Felületkezelés

Si-face CMP

Részecskék

≤60ea/ostya (méret≥0,3μm)

NA

Karcolások

≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő

Összesített hossz≤2*Átmérő

NA

Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés

Egyik sem

NA

Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek

Egyik sem

Politípus területek

Egyik sem

Összesített terület ≤ 20%

Összesített terület ≤30%

Elülső lézeres jelölés

Egyik sem

Hátsó minőség

Hátsó befejezés

C-arcú CMP

Karcolások

≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő

NA

Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások)

Egyik sem

Hát érdesség

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Hátsó lézeres jelölés

1 mm (felső éltől)

Él

Él

Letörés

Csomagolás

Csomagolás

Epi-ready vákuum csomagolással

Több ostyás kazettás csomagolás

*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak.

tech_1_2_size
SiC ostyák

  • Előző:
  • Következő: