A Semicera Silicon Film egy kiváló minőségű, precíziós tervezésű anyag, amelyet úgy terveztek, hogy megfeleljen a félvezetőipar szigorú követelményeinek. A tiszta szilíciumból készült vékonyfilmes megoldás kiváló egyenletességet, nagy tisztaságot, valamint kivételes elektromos és termikus tulajdonságokat kínál. Ideális különféle félvezető alkalmazásokhoz, beleértve a Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate és Epi-Wafer gyártását. A Semicera szilíciumfóliája megbízható és egyenletes teljesítményt biztosít, így a fejlett mikroelektronika nélkülözhetetlen anyaga.
Kiváló minőség és teljesítmény a félvezetőgyártáshoz
A Semicera szilíciumfóliája kiemelkedő mechanikai szilárdságáról, nagy termikus stabilitásáról és alacsony hibaarányáról ismert, amelyek mindegyike kulcsfontosságú a nagy teljesítményű félvezetők gyártásában. Akár gallium-oxid (Ga2O3) eszközök, AlN Wafer vagy Epi-Wafers gyártásához használják, a film erős alapot biztosít a vékonyréteg-lerakódáshoz és az epitaxiális növekedéshez. Kompatibilitása más félvezető hordozókkal, mint például a SiC Substrate és a SOI Wafers biztosítja a zökkenőmentes integrációt a meglévő gyártási folyamatokba, segít fenntartani a magas hozamokat és az állandó termékminőséget.
Alkalmazások a félvezetőiparban
A félvezetőiparban a Semicera szilíciumfóliáját számos alkalmazási területen használják, a Si Wafer és SOI Wafer gyártásától a speciálisabb felhasználásokig, mint például a SiN szubsztrát és az Epi-Wafer létrehozása. A fólia nagy tisztasága és pontossága nélkülözhetetlenné teszi a mikroprocesszoroktól és integrált áramköröktől kezdve az optoelektronikai eszközökig mindenben használt fejlett alkatrészek gyártásában.
A szilíciumfólia kritikus szerepet játszik a félvezető folyamatokban, például az epitaxiális növekedésben, az ostyakötésben és a vékonyréteg-lerakódásban. Megbízható tulajdonságai különösen értékesek az olyan iparágakban, amelyek szigorúan ellenőrzött környezetet igényelnek, mint például a félvezető gyárak tisztaterei. Ezenkívül a szilíciumfólia kazettás rendszerekbe integrálható a hatékony ostyakezelés és szállítás érdekében a gyártás során.
Hosszú távú megbízhatóság és következetesség
A Semicera szilíciumfólia használatának egyik legfontosabb előnye a hosszú távú megbízhatóság. Kiváló tartósságával és állandó minőségével ez a fólia megbízható megoldást kínál nagy volumenű gyártási környezetekben. Függetlenül attól, hogy nagy pontosságú félvezető eszközökben vagy fejlett elektronikus alkalmazásokban használják, a Semicera szilíciumfóliája biztosítja, hogy a gyártók nagy teljesítményt és megbízhatóságot érjenek el a termékek széles körében.
Miért válassza a Semicera szilíciumfóliáját?
A Semicera szilíciumfólia nélkülözhetetlen anyag a félvezetőipar legmodernebb alkalmazásaihoz. Nagy teljesítményű tulajdonságai, beleértve a kiváló termikus stabilitást, a nagy tisztaságot és a mechanikai szilárdságot, ideális választássá teszik a félvezetőgyártásban a legmagasabb szabványokat elérni kívánó gyártók számára. Ez a fólia a Si Wafertől és a SiC szubsztráttól a gallium-oxid Ga2O3 eszközök gyártásáig páratlan minőséget és teljesítményt nyújt.
A Semicera szilíciumfóliájával olyan termékben bízhat, amely megfelel a modern félvezetőgyártás igényeinek, megbízható alapot biztosítva az elektronika következő generációjának.
Tételek | Termelés | Kutatás | Színlelt |
Kristály paraméterek | |||
Politípus | 4H | ||
Felületi tájolási hiba | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektromos paraméterek | |||
Adalékanyag | n-típusú nitrogén | ||
Ellenállás | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanikai paraméterek | |||
Átmérő | 150,0±0,2 mm | ||
Vastagság | 350±25 μm | ||
Elsődleges lapos tájolás | [1-100]±5° | ||
Elsődleges lapos hossz | 47,5±1,5 mm | ||
Másodlagos lakás | Egyik sem | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Íj | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Elülső (Si-felület) érdesség (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Szerkezet | |||
Mikrocső sűrűsége | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
Fém szennyeződések | ≤5E10 atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 e/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Elülső minőség | |||
Elülső | Si | ||
Felületkezelés | Si-face CMP | ||
Részecskék | ≤60ea/ostya (méret≥0,3μm) | NA | |
Karcolások | ≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő | Összesített hossz≤2*Átmérő | NA |
Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés | Egyik sem | NA | |
Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek | Egyik sem | ||
Politípus területek | Egyik sem | Összesített terület ≤ 20% | Összesített terület ≤30% |
Elülső lézeres jelölés | Egyik sem | ||
Hátsó minőség | |||
Hátsó befejezés | C-arcú CMP | ||
Karcolások | ≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő | NA | |
Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások) | Egyik sem | ||
Hát érdesség | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Hátsó lézeres jelölés | 1 mm (a felső széltől) | ||
Él | |||
Él | Letörés | ||
Csomagolás | |||
Csomagolás | Epi-ready vákuum csomagolással Több ostyás kazettás csomagolás | ||
*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak. |