Szilícium fólia

Rövid leírás:

A Semicera szilíciumfólia egy nagy teljesítményű anyag, amelyet a félvezető- és elektronikai ipar számos fejlett alkalmazására terveztek. A kiváló minőségű szilíciumból készült fólia kivételes egyenletességet, hőstabilitást és elektromos tulajdonságokat kínál, így ideális megoldás vékonyréteg-leválasztáshoz, MEMS-hez (Micro-Electro-Mechanical Systems) és félvezető eszközök gyártásához.


Termék részletek

Termékcímkék

A Semicera Silicon Film egy kiváló minőségű, precíziós tervezésű anyag, amelyet úgy terveztek, hogy megfeleljen a félvezetőipar szigorú követelményeinek. A tiszta szilíciumból készült vékonyfilmes megoldás kiváló egyenletességet, nagy tisztaságot, valamint kivételes elektromos és termikus tulajdonságokat kínál. Ideális különféle félvezető alkalmazásokhoz, beleértve a Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate és Epi-Wafer gyártását. A Semicera szilíciumfóliája megbízható és egyenletes teljesítményt biztosít, így a fejlett mikroelektronika nélkülözhetetlen anyaga.

Kiváló minőség és teljesítmény a félvezetőgyártáshoz

A Semicera szilíciumfóliája kiemelkedő mechanikai szilárdságáról, nagy termikus stabilitásáról és alacsony hibaarányáról ismert, amelyek mindegyike kulcsfontosságú a nagy teljesítményű félvezetők gyártásában. Akár gallium-oxid (Ga2O3) eszközök, AlN Wafer vagy Epi-Wafers gyártásához használják, a film erős alapot biztosít a vékonyréteg-lerakódáshoz és az epitaxiális növekedéshez. Kompatibilitása más félvezető hordozókkal, mint például a SiC Substrate és a SOI Wafers biztosítja a zökkenőmentes integrációt a meglévő gyártási folyamatokba, segít fenntartani a magas hozamokat és az állandó termékminőséget.

Alkalmazások a félvezetőiparban

A félvezetőiparban a Semicera szilíciumfóliáját számos alkalmazási területen használják, a Si Wafer és SOI Wafer gyártásától a speciálisabb felhasználásokig, mint például a SiN szubsztrát és az Epi-Wafer létrehozása. A fólia nagy tisztasága és pontossága nélkülözhetetlenné teszi a mikroprocesszoroktól és integrált áramköröktől kezdve az optoelektronikai eszközökig mindenben használt fejlett alkatrészek gyártásában.

A szilíciumfólia kritikus szerepet játszik a félvezető folyamatokban, például az epitaxiális növekedésben, az ostyakötésben és a vékonyréteg-lerakódásban. Megbízható tulajdonságai különösen értékesek az olyan iparágakban, amelyek szigorúan ellenőrzött környezetet igényelnek, mint például a félvezető gyárak tisztaterei. Ezenkívül a szilíciumfólia kazettás rendszerekbe integrálható a hatékony ostyakezelés és szállítás érdekében a gyártás során.

Hosszú távú megbízhatóság és következetesség

A Semicera szilíciumfólia használatának egyik legfontosabb előnye a hosszú távú megbízhatóság. Kiváló tartósságával és állandó minőségével ez a fólia megbízható megoldást kínál nagy volumenű gyártási környezetekben. Függetlenül attól, hogy nagy pontosságú félvezető eszközökben vagy fejlett elektronikus alkalmazásokban használják, a Semicera szilíciumfóliája biztosítja, hogy a gyártók nagy teljesítményt és megbízhatóságot érjenek el a termékek széles körében.

Miért válassza a Semicera szilíciumfóliáját?

A Semicera szilíciumfólia nélkülözhetetlen anyag a félvezetőipar legmodernebb alkalmazásaihoz. Nagy teljesítményű tulajdonságai, beleértve a kiváló termikus stabilitást, a nagy tisztaságot és a mechanikai szilárdságot, ideális választássá teszik a félvezetőgyártásban a legmagasabb szabványokat elérni kívánó gyártók számára. Ez a fólia a Si Wafertől és a SiC szubsztráttól a gallium-oxid Ga2O3 eszközök gyártásáig páratlan minőséget és teljesítményt nyújt.

A Semicera szilíciumfóliájával olyan termékben bízhat, amely megfelel a modern félvezetőgyártás igényeinek, megbízható alapot biztosítva az elektronika következő generációjának.

Tételek

Termelés

Kutatás

Színlelt

Kristály paraméterek

Politípus

4H

Felületi tájolási hiba

<11-20 >4±0,15°

Elektromos paraméterek

Adalékanyag

n-típusú nitrogén

Ellenállás

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanikai paraméterek

Átmérő

150,0±0,2 mm

Vastagság

350±25 μm

Elsődleges lapos tájolás

[1-100]±5°

Elsődleges lapos hossz

47,5±1,5 mm

Másodlagos lakás

Egyik sem

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Íj

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Elülső (Si-felület) érdesség (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Szerkezet

Mikrocső sűrűsége

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Fém szennyeződések

≤5E10 atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 e/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Elülső minőség

Elülső

Si

Felületkezelés

Si-face CMP

Részecskék

≤60ea/ostya (méret≥0,3μm)

NA

Karcolások

≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő

Összesített hossz≤2*Átmérő

NA

Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés

Egyik sem

NA

Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek

Egyik sem

Politípus területek

Egyik sem

Összesített terület ≤ 20%

Összesített terület ≤30%

Elülső lézeres jelölés

Egyik sem

Hátsó minőség

Hátsó befejezés

C-arcú CMP

Karcolások

≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő

NA

Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások)

Egyik sem

Hát érdesség

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Hátsó lézeres jelölés

1 mm (a felső széltől)

Él

Él

Letörés

Csomagolás

Csomagolás

Epi-ready vákuum csomagolással

Több ostyás kazettás csomagolás

*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak.

tech_1_2_size
SiC ostyák

  • Előző:
  • Következő: