Leírás
A Semicera SiC bevonatú grafit szuszceptorait kiváló minőségű grafit szubsztrátumok felhasználásával tervezték, amelyeket szigorúan szilícium-karbiddal (SiC) vonnak be a fejlett kémiai gőzleválasztási (CVD) eljárások révén. Ez az innovatív kialakítás kivételes ellenállást biztosít a hősokk és a kémiai lebomlás ellen, jelentősen meghosszabbítja a SiC bevonatú grafit szuszceptor élettartamát és garantálja a megbízható teljesítményt a félvezető gyártási folyamat során.
Főbb jellemzők:
1. Kiváló hővezetőképességA SiC bevonatú grafit szuszceptor kiemelkedő hővezető képességet mutat, ami kulcsfontosságú a hatékony hőelvezetéshez a félvezetőgyártás során. Ez a tulajdonság minimálisra csökkenti a hőgradienseket a lapka felületén, elősegítve az egyenletes hőmérséklet-eloszlást, ami elengedhetetlen a kívánt félvezető tulajdonságok eléréséhez.
2. Robusztus kémiai és hősokkállóságA SiC bevonat félelmetes védelmet nyújt a kémiai korrózió és a hősokk ellen, megőrzi a grafit szuszceptor épségét még kemény feldolgozási körülmények között is. Ez a fokozott tartósság csökkenti az állásidőt és meghosszabbítja az élettartamot, hozzájárulva a termelékenység és a költséghatékonyság növekedéséhez a félvezetőgyártó létesítményekben.
3. Testreszabás speciális igényekhezSiC bevonatú grafit szuszceptoraink testreszabhatók, hogy megfeleljenek az egyedi követelményeknek és preferenciáknak. Számos testreszabási lehetőséget kínálunk, beleértve a méretbeállításokat és a bevonat vastagságának változtatásait, hogy biztosítsuk a tervezési rugalmasságot és az optimalizált teljesítményt a különböző alkalmazásokhoz és folyamatparaméterekhez.
Alkalmazások:
Alkalmazások A Semicera SiC bevonatokat a félvezetőgyártás különböző szakaszaiban használják, beleértve:
1. -LED Chip gyártás
2. - Poliszilícium gyártás
3. - Félvezető kristálynövekedés
4. -Szilícium és SiC epitaxia
5. - Termikus oxidáció és diffúzió (TO&D)
Műszaki adatok:
