Termékleírás
4h-n 4 hüvelykes 6 hüvelykes átmérőjű, 100 mm-es sic magos ostya 1 mm vastagságú tuskó növekedéshez
Egyedi méret / 2 hüvelyk / 3 hüvelyk / 4 hüvelyk / 6 hüvelykes 6H-N / 4H-SEMI / 4H-N SIC öntvények / Nagy tisztaságú 4H-N 4 hüvelykes 6 hüvelykes átmérőjű 150 mm szilícium-karbid egykristály (sic) ostya / Egyedi os-cut Production 4 hüvelykes ostya 4H-N 1,5 mm-es SIC ostya magkristályhoz
A szilícium-karbid (SiC) kristályról
A szilícium-karbid (SiC), más néven karborundum, szilíciumot és szenet tartalmazó félvezető, amelynek kémiai képlete SiC. A SiC-t olyan félvezető elektronikai eszközökben használják, amelyek magas hőmérsékleten vagy magas feszültségen, vagy mindkettőn működnek. A szilícium-karbid a LED egyik fontos alkatrésze, a GaN eszközök termesztésének kedvelt szubsztrátuma, és hőelosztóként is szolgál nagy teljesítmény LED-ek.
Leírás
| Ingatlan | 4H-SiC, egykristály | 6H-SiC, egykristály |
| Rácsparaméterek | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Halmozási sorrend | ABCB | ABCACB |
| Mohs-keménység | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Sűrűség | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Expanziós együttható | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Törés index @750nm | nem = 2,61 | nem = 2,60 |
| Dielektromos állandó | c~9,66 | c~9,66 |
| Hővezetőképesség (N-típus, 0,02 ohm.cm) | a~4,2 W/cm·K@298K |
|
| Hővezetőképesség (félszigetelő) | a~4,9 W/cm·K@298K | a~4,6 W/cm·K@298K |
| Sáv-rés | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Lebontási elektromos mező | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Saturation Drift Velocity | 2,0×105 m/s | 2,0×105 m/s |
