SiC bevonatú grafit ostya szuszceptor

SiC Coating Graphite Wafer Susceptor Kiemelt kép

Rövid leírás:

A Semicera Semiconductor SiC Coating Graphite Wafer Susceptor terméke kiváló hőteljesítményt és tartósságot biztosít az ostyafeldolgozáshoz. Bízzon a Semicerában a fejlett SiC-bevonatú szuszceptorok esetében, amelyeket a félvezető alkalmazások hatékonyságának és megbízhatóságának növelésére terveztek.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

Leírás

A Semicera SiC Wafer szuszceptorait MOCVD-hez (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) úgy tervezték, hogy megfeleljenek az epitaxiális lerakódási folyamatok szigorú követelményeinek. A kiváló minőségű szilícium-karbidot (SiC) használó szuszceptorok páratlan tartósságot és teljesítményt kínálnak magas hőmérsékletű és korrozív környezetben, biztosítva a félvezető anyagok pontos és hatékony növekedését.

Főbb jellemzők:

1. Kiváló anyagtulajdonságokKiváló minőségű SiC-ből készült ostyás szuszceptoraink kivételes hővezető képességgel és vegyszerállósággal rendelkeznek. Ezek a tulajdonságok lehetővé teszik, hogy ellenálljanak a MOCVD-folyamatok szélsőséges körülményeinek, beleértve a magas hőmérsékletet és a korrozív gázokat, így biztosítva a hosszú élettartamot és a megbízható teljesítményt.

2. Pontosság az epitaxiális lerakódásbanA SiC Wafer Szuceptoraink precíz tervezése egyenletes hőmérsékleteloszlást biztosít az ostya felületén, elősegítve az egyenletes és kiváló minőségű epitaxiális rétegnövekedést. Ez a pontosság kritikus fontosságú az optimális elektromos tulajdonságokkal rendelkező félvezetők előállításához.

3. Fokozott tartósságA robusztus SiC anyag kiváló kopásállóságot és lebomlást biztosít még akkor is, ha folyamatosan durva folyamatkörnyezetnek van kitéve. Ez a tartósság csökkenti a szuszceptorok cseréjének gyakoriságát, minimalizálva az állásidőt és a működési költségeket.