Leírás
A CVD-SiC bevonat egységes szerkezettel, kompakt anyaggal, magas hőmérséklettel szembeni ellenállással, oxidációállósággal, nagy tisztasággal, sav- és lúgállósággal és szerves reagenssel rendelkezik, stabil fizikai és kémiai tulajdonságokkal.
A nagy tisztaságú grafitanyagokhoz képest a grafit 400 C-on kezd oxidálódni, ami az oxidáció következtében porveszteséget okoz, ami környezetszennyezést eredményez a perifériás eszközökben és a vákuumkamrákban, és megnöveli a nagy tisztaságú környezet szennyeződéseit.
A SiC bevonat azonban 1600 fokos fizikai és kémiai stabilitást képes fenntartani, széles körben használják a modern iparban, különösen a félvezetőiparban.
Cégünk grafit, kerámia és egyéb anyagok felületén CVD módszerrel SiC bevonatolási eljárási szolgáltatásokat nyújt, így speciális szén- és szilíciumtartalmú gázok magas hőmérsékleten reakcióba lépve nagy tisztaságú SiC molekulákat, a bevont anyagok felületén lerakódott molekulákat, SIC védőréteget képez. A kialakult SIC szilárdan kötődik a grafit alaphoz, különleges tulajdonságokat adva a grafit alapnak, így a grafit felülete kompakt, porozitásmentes, magas hőmérséklet-álló, korrózióálló és oxidációálló.
Alkalmazás
Főbb jellemzők
1 .Nagy tisztaságú SiC bevonatú grafit
2. Kiváló hőállóság és termikus egyenletesség
3. Finom SiC kristály bevonattal a sima felületért
4. Nagy tartósság vegyszeres tisztítással szemben
A CVD-SIC bevonatok főbb specifikációi
| SiC-CVD | ||
| Sűrűség | (g/cc) | 3.21 |
| Hajlító szilárdság | (Mpa) | 470 |
| Hőtágulás | (10-6/K) | 4 |
| Hővezetőképesség | (W/mK) | 300 |
Csomagolás és Szállítás
Ellátási képesség:
10000 darab/darab havonta
Csomagolás és szállítás:
Csomagolás: szabványos és erős csomagolás
Polizsák + doboz + karton + raklap
Kikötő:
Ningbo/Shenzhen/Sanghaj
Átfutási idő:
| Mennyiség (darab) | 1-1000 | >1000 |
| Becs. Idő (nap) | 15 | Meg kell tárgyalni |
