SiC bevonatú mély UV LED szuszceptor

Rövid leírás:

A SiC bevonatú mély UV LED szuszceptor a MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) folyamatok kritikus összetevője, amelyet kifejezetten a hatékony és stabil mély UV LED epitaxiális rétegnövekedés támogatására terveztek. A Semiceránál a SiC bevonatú szuszceptorok vezető gyártója és szállítója vagyunk, és olyan termékeket kínálunk, amelyek megfelelnek a legmagasabb ipari szabványoknak. Sok éves tapasztalatunknak és a vezető LED-epitaxiális gyártókkal kötött hosszú távú együttműködésnek köszönhetően szuszceptor-megoldásaink világszerte megbízhatóak.


Termék részletek

Termékcímkék

SiC bevonatú mély UV LED szuszceptor – fejlett MOCVD komponens a nagy teljesítményű epitaxiához

Áttekintés:A SiC bevonatú mély UV LED szuszceptor a MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) folyamatok kritikus összetevője, amelyet kifejezetten a hatékony és stabil mély UV LED epitaxiális rétegnövekedés támogatására terveztek. A Semiceránál a SiC bevonatú szuszceptorok vezető gyártója és szállítója vagyunk, és a legmagasabb ipari szabványoknak megfelelő termékeket kínálunk. Sok éves tapasztalatunknak és a vezető LED-epitaxiális gyártókkal kötött hosszú távú együttműködésnek köszönhetően szuszceptor-megoldásaink világszerte megbízhatóak.

 

Főbb jellemzők és előnyök:

Mély UV LED-epitaxiához optimalizálva:Kifejezetten mély UV LED-ek nagy teljesítményű epitaxiális növekedéséhez tervezték, beleértve a 260 nm-nél kisebb hullámhosszúságú LED-eket (UV-C fertőtlenítéshez, sterilizáláshoz és egyéb alkalmazásokhoz).

Anyag és bevonat:Kiváló minőségű SGL grafitból készült, bevonattalCVD SiC, amely kiváló ellenállást biztosít az NH3, HCl és a magas hőmérsékletű környezetekkel szemben. Ez a tartós bevonat növeli a teljesítményt és a hosszú élettartamot.

Precíziós hőkezelés:A fejlett feldolgozási technikák biztosítják az egyenletes hőeloszlást, megakadályozva az epitaxiális réteg növekedését befolyásoló hőmérséklet-gradienseket, javítva az egyenletességet és az anyagminőséget.

▪ Hőtágulási kompatibilitás:Megfelel az AlN/GaN epitaxiális lapkák hőtágulási együtthatójával, minimalizálva a lapka vetemedésének vagy megrepedésének kockázatátMOCVDfolyamat.

 

Alkalmazható a vezető MOCVD berendezésekhez: Kompatibilis a főbb MOCVD rendszerekkel, mint például a Veeco K465i, EPIK 700 és Aixtron Crius, támogatja a 2-8 hüvelykes lapkaméreteket, és testreszabott megoldásokat kínál a nyílások kialakítására, a folyamat hőmérsékletére és egyéb paraméterekre.

 

Alkalmazások:

▪ Mély UV LED gyártás:Ideális a mély UV LED-ek epitaxiájára, amelyeket olyan alkalmazásokban használnak, mint az UV-C fertőtlenítés és sterilizálás.

▪ Nitrid félvezető epitaxia:Alkalmas GaN és AlN epitaxiális folyamatokhoz a félvezető eszközök gyártásában.

▪ Kutatás és fejlesztés:Fejlett epitaxiás kísérletek támogatása egyetemek és kutatóintézetek számára, amelyek a mély UV-anyagokra és az új technológiákra összpontosítanak.

 

Miért válassza a Semicerát?

▪ Bizonyított minőség:A miénkSiC bevonattalA mély UV LED szuszceptorok szigorú ellenőrzésen esnek át annak biztosítása érdekében, hogy megfeleljenek a vezető nemzetközi gyártók teljesítményének.

▪ Testreszabott megoldások:Testreszabott termékeket kínálunk ügyfeleink egyedi igényeinek kielégítésére, optimális teljesítményt és hosszú távú megbízhatóságot biztosítva.

▪ Globális szakértelem:Sokak megbízható partnerekéntLED epitaxiálisgyártók világszerte, a Semicera a legkorszerűbb technológiát és rengeteg tapasztalatot kínál minden projekthez.

 

Lépjen kapcsolatba velünk még ma! Fedezze fel, hogy a Semicera hogyan támogatja az Ön MOCVD-folyamatait kiváló minőségű, megbízható SiC bevonatú mély UV LED szuszceptorokkal. Bővebb információért vagy árajánlat kérésért keressen minket.

 

 

Semicera Munkahely
Semicera munkahely 2
Berendezés gép
CNN feldolgozás, vegyi tisztítás, CVD bevonat
Semicera Raktárház
A mi szolgáltatásunk

  • Előző:
  • Következő: