SiC bevonatú GAN Epi ostyahordozó

SiC Caoted GAN Epi Wafer Carrier Kiemelt kép

Rövid leírás:

A Semicera Semiconductor SiC bevonatú GaN Epi Wafer Carrier kivételes tartósságot és hőstabilitást kínál a GaN epitaxiás folyamatokhoz. Bízzon a Semicerában a fejlett SiC bevonattechnológiával rendelkező, nagy teljesítményű hordozók számára, amelyeket úgy terveztek, hogy optimalizálja az ostya kezelését és növelje a hatékonyságot.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

Leírás

A Semicera GaN Epitaxy Carrier-t aprólékosan úgy tervezték, hogy megfeleljen a modern félvezetőgyártás szigorú követelményeinek. A kiváló minőségű anyagokból és precíziós tervezésből álló alappal ez a hordozó kiemelkedik kivételes teljesítményével és megbízhatóságával. A Chemical Vapor Deposition (CVD) szilícium-karbid (SiC) bevonat integrációja kiváló tartósságot, hőhatékonyságot és védelmet biztosít, így az iparági szakemberek kedvelt választása.

Főbb jellemzők

1. Kivételes tartósságA GaN Epitaxy Carrier CVD SiC bevonata megnöveli a kopásállóságát, jelentősen meghosszabbítva az élettartamát. Ez a robusztusság egyenletes teljesítményt biztosít még igényes gyártási környezetben is, csökkentve a gyakori cserék és karbantartások szükségességét.

2. Kiváló hőhatékonyságA hőkezelés kritikus fontosságú a félvezetőgyártásban. A GaN Epitaxy Carrier fejlett termikus tulajdonságai elősegítik a hatékony hőelvezetést, fenntartva az optimális hőmérsékleti feltételeket az epitaxiális növekedési folyamat során. Ez a hatékonyság nemcsak a félvezető lapkák minőségét javítja, hanem az általános gyártási hatékonyságot is.

3. Védelmi képességekA SiC bevonat erős védelmet nyújt a kémiai korrózió és a hősokkok ellen. Ez biztosítja a hordozó sértetlenségének megőrzését a gyártási folyamat során, megóvja a kényes félvezető anyagokat, és növeli a gyártási folyamat általános hozamát és megbízhatóságát.