A Semicera speciális tantál-karbid (TaC) bevonatokat kínál különféle alkatrészekhez és hordozókhoz.A Semicera vezető bevonási eljárása lehetővé teszi a tantál-karbid (TaC) bevonatok számára, hogy nagy tisztaságot, magas hőmérsékleti stabilitást és magas vegyi toleranciát érjenek el, javítva a SIC/GAN kristályok és az EPI rétegek termékminőségét (Grafit bevonatú TaC szuszceptor), és meghosszabbítja a reaktor kulcselemeinek élettartamát. A tantál-karbid TaC bevonat használata az élproblémák megoldására és a kristálynövekedés minőségének javítására szolgál, a Semicera pedig áttörést jelentett a tantál-karbid bevonat technológiájának (CVD) megoldásának, elérve a nemzetközi haladó szintet.
Több éves fejlesztés után a Semicera meghódította a technológiátCVD TaCa K+F részleg közös erőfeszítéseivel. A SiC lapkák növekedési folyamatában könnyen előfordulhatnak hibák, de használat utánTaC, a különbség jelentős. Az alábbiakban összehasonlítjuk az ostyákat TaC-vel és anélkül, valamint a Semicera részeket az egykristály növesztéshez
TaC-vel és anélkül
A TaC használata után (jobbra)
Ezenkívül a Semicera TaC bevonat termékeinek élettartama hosszabb és jobban ellenáll a magas hőmérsékletnek, mint a SiC bevonaté. Hosszú ideig tartó laboratóriumi mérési adatok után TaC-nk hosszú ideig tud működni maximum 2300 Celsius fokon. Íme néhány mintadarabunk:
(a) A SiC egykristályos tuskótermesztő eszköz sematikus diagramja PVT-módszerrel (b) Felső TaC bevonatú magtartó (beleértve a SiC vetőmagot is) (c) TAC bevonatú grafit vezetőgyűrű
