Ipari hírek

  • A félvezető csomagolási folyamat minőségellenőrzésének kulcspontjai

    A félvezető csomagolási folyamat minőségellenőrzésének kulcspontjai

    A félvezető-csomagolási folyamat minőség-ellenőrzésének kulcspontjai Jelenleg a félvezető-csomagolás folyamattechnológiája jelentősen javult és optimalizálódott. Átfogó szempontból azonban a félvezető-csomagolás folyamatai és módszerei még nem érték el a legtökéletesebbet...
    Olvass tovább
  • Kihívások a félvezető csomagolási folyamatban

    Kihívások a félvezető csomagolási folyamatban

    A félvezetőcsomagolás jelenlegi technikái fokozatosan javulnak, de az automatizált berendezések és technológiák alkalmazásának mértéke a félvezető csomagolásban közvetlenül meghatározza a várható eredmények megvalósulását. A meglévő félvezető-csomagolási eljárások továbbra is szenvednek...
    Olvass tovább
  • A félvezető csomagolási folyamat kutatása és elemzése

    A félvezető csomagolási folyamat kutatása és elemzése

    A félvezető eljárás áttekintése A félvezető eljárás elsősorban mikrogyártási és filmtechnológiák alkalmazását foglalja magában a chipek és más elemek, például hordozók és keretek teljes összekapcsolására a különböző régiókban. Ez megkönnyíti az ólomkapcsok kihúzását és a tokozást...
    Olvass tovább
  • Új irányzatok a félvezetőiparban: A védőbevonat technológia alkalmazása

    Új irányzatok a félvezetőiparban: A védőbevonat technológia alkalmazása

    A félvezetőipar példátlan növekedésnek lehet tanúja, különösen a szilícium-karbid (SiC) teljesítményelektronika területén. Mivel számos nagyméretű ostyagyár építése vagy bővítése folyik az elektromos járművek SiC-eszközök iránti növekvő keresletének kielégítésére, ez a ...
    Olvass tovább
  • Melyek a SiC hordozók feldolgozásának fő lépései?

    Melyek a SiC hordozók feldolgozásának fő lépései?

    A SiC szubsztrátumok előállítási és feldolgozási lépései a következők: 1. Kristály orientáció: Röntgen-diffrakciót használunk a kristályrúd orientálására. Ha a röntgensugár a kívánt kristályfelületre irányul, a diffrakciós sugár szöge határozza meg a kristály tájolását...
    Olvass tovább
  • Fontos anyag, amely meghatározza az egykristályos szilícium növekedés minőségét – termikus mező

    Fontos anyag, amely meghatározza az egykristályos szilícium növekedés minőségét – termikus mező

    Az egykristályos szilícium növekedési folyamata teljes mértékben a termikus mezőben történik. A jó hőtér elősegíti a kristályminőség javítását, és magas a kristályosítási hatékonysága. A termikus tér kialakítása nagyban meghatározza a változásokat, változásokat...
    Olvass tovább
  • Mi az epitaxiális növekedés?

    Mi az epitaxiális növekedés?

    Az epitaxiális növekedés egy olyan technológia, amely egyetlen kristályréteget növeszt egy egykristályos hordozón (szubsztrátumon), amelynek kristályorientációja megegyezik a hordozóval, mintha az eredeti kristály kifelé nyúlna. Ez az újonnan növesztett egykristály réteg eltérhet a szubsztrátumtól a ...
    Olvass tovább
  • Mi a különbség a szubsztrát és az epitaxia között?

    Mi a különbség a szubsztrát és az epitaxia között?

    Az ostya előkészítési folyamatban két fő láncszem van: az egyik a szubsztrát előkészítése, a másik az epitaxiális folyamat megvalósítása. A szubsztrát, egy félvezető egykristály anyagból gondosan megmunkált ostya, közvetlenül behelyezhető az ostyagyártásba...
    Olvass tovább
  • A grafitfűtőelemek sokoldalú jellemzőinek bemutatása

    A grafitfűtőelemek sokoldalú jellemzőinek bemutatása

    A grafitfűtők kivételes tulajdonságaik és sokoldalúságuk miatt a különféle iparágakban nélkülözhetetlen eszközökké váltak. A laboratóriumoktól az ipari létesítményekig ezek a fűtőberendezések kulcsszerepet játszanak az anyagszintézistől az analitikai technikákig terjedő folyamatokban. A különféle...
    Olvass tovább
  • A száraz és nedves maratás előnyeinek és hátrányainak részletes ismertetése

    A száraz és nedves maratás előnyeinek és hátrányainak részletes ismertetése

    A félvezetőgyártásban létezik egy „maratásnak” nevezett technika a szubsztrátum vagy a hordozón kialakított vékony film feldolgozása során. A maratási technológia fejlődése szerepet játszott abban, hogy megvalósult az Intel alapítója, Gordon Moore 1965-ben megfogalmazott jóslata, miszerint „...
    Olvass tovább
  • A szilícium-karbid fűtőberendezések magas hőhatékonyságának és csillagszerű stabilitásának bemutatása

    A szilícium-karbid fűtőberendezések magas hőhatékonyságának és csillagszerű stabilitásának bemutatása

    A szilícium-karbid (SiC) fűtőberendezések a félvezetőipar hőkezelésének élvonalába tartoznak. Ez a cikk a SiC fűtőelemek kivételes hőhatékonyságát és figyelemre méltó stabilitását tárja fel, rávilágítva döntő szerepükre az optimális teljesítmény és megbízhatóság biztosításában a félig...
    Olvass tovább
  • A szilícium-karbid ostyahajók nagy szilárdságú és nagy keménységű jellemzőinek feltárása

    A szilícium-karbid ostyahajók nagy szilárdságú és nagy keménységű jellemzőinek feltárása

    A szilícium-karbid (SiC) ostyahajók döntő szerepet játszanak a félvezetőiparban, megkönnyítve a kiváló minőségű elektronikai eszközök gyártását. Ez a cikk a SiC ostyahajók figyelemre méltó tulajdonságaival foglalkozik, különös hangsúlyt fektetve azok kivételes szilárdságára és keménységére, és kiemeli azok jelentőségét...
    Olvass tovább