-
Félvezető eljárás és berendezések (3/7) – fűtési folyamat és berendezések
1. Áttekintés A hevítés, más néven termikus feldolgozás olyan gyártási eljárásokra utal, amelyek magas hőmérsékleten működnek, általában magasabb, mint az alumínium olvadáspontja. A hevítési folyamatot általában magas hőmérsékletű kemencében végzik, és olyan fő folyamatokat foglal magában, mint az oxidáció,...Olvass tovább -
Félvezető technológia és berendezések (2/7) – ostya előkészítése és feldolgozása
Az ostyák az integrált áramkörök, diszkrét félvezető eszközök és tápegységek gyártásának fő nyersanyagai. Az integrált áramkörök több mint 90%-a nagy tisztaságú, kiváló minőségű ostyákon készül. Az ostyakészítő berendezés a tiszta polikristályos szilícium...Olvass tovább -
Mi az az RTP Wafer Carrier?
A félvezető gyártásban betöltött szerepének megértése Az RTP szelethordozók alapvető szerepének feltárása a fejlett félvezető feldolgozásban A félvezetőgyártás világában a precízió és a vezérlés kulcsfontosságú a modern elektronikát tápláló, kiváló minőségű eszközök előállításához. Az egyik...Olvass tovább -
Mi az Epi Carrier?
Az epitaxiális lapkafeldolgozásban betöltött döntő szerepének feltárása Az Epi-hordozók jelentőségének megértése a fejlett félvezetőgyártásban A félvezetőiparban a jó minőségű epitaxiális (epi) lapkák gyártása kritikus lépés az eszközök gyártásában...Olvass tovább -
Félvezető eljárás és berendezések (1/7) – Integrált áramköri gyártási folyamat
1. Az integrált áramkörökről 1.1 Az integrált áramkörök fogalma és születése Integrált áramkör (IC): olyan eszköz, amely egyesíti az aktív eszközöket, például tranzisztorokat és diódákat, passzív alkatrészekkel, például ellenállásokkal és kondenzátorokkal, egy sor speciális feldolgozási technológia révén...Olvass tovább -
Mi az Epi Pan Carrier?
A félvezetőipar rendkívül speciális berendezésekre támaszkodik a kiváló minőségű elektronikus eszközök előállításához. Az epitaxiális növekedési folyamat egyik ilyen kritikus komponense az epi pan hordozó. Ez a berendezés kulcsfontosságú szerepet játszik a félvezető lapkák epitaxiális rétegeinek lerakódásában, ensu...Olvass tovább -
Mi az a MOCVD szuszceptor?
A MOCVD-módszer az egyik legstabilabb eljárás, amelyet jelenleg az iparban használnak kiváló minőségű egykristályos vékonyrétegek, például egyfázisú InGaN epirétegek, III-N anyagok és többkvantumkutatós szerkezetű félvezető fóliák termesztésére, és nagy előjelű. ...Olvass tovább -
Mi az a SiC bevonat?
Mi az a szilícium-karbid SiC bevonat? A szilícium-karbid (SiC) bevonat egy forradalmi technológia, amely kivételes védelmet és teljesítményt nyújt magas hőmérsékletű és kémiailag reaktív környezetben. Ezt a fejlett bevonatot különféle anyagokra alkalmazzák, beleértve...Olvass tovább -
Mi az a MOCVD Wafer Carrier?
A félvezetőgyártás területén a MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) technológia gyorsan kulcsfontosságú folyamattá válik, amelynek egyik fő összetevője a MOCVD Wafer Carrier. A MOCVD Wafer Carrier fejlesztései nemcsak a gyártási folyamatban tükröződnek, hanem...Olvass tovább -
Mi az a tantál-karbid?
A tantál-karbid (TaC) tantál és szén kettős vegyülete, amelynek kémiai képlete TaC x, ahol x általában 0,4 és 1 között változik. Rendkívül kemény, törékeny, tűzálló kerámia anyagok, fémes vezetőképességgel. Barna-szürke porok és mi...Olvass tovább -
mi az a tantál-karbid
A tantál-karbid (TaC) egy ultramagas hőmérsékletű kerámia anyag, magas hőmérséklet-állósággal, nagy sűrűséggel és nagy tömörséggel; nagy tisztaságú, szennyeződéstartalom <5PPM; és kémiai közömbösség magas hőmérsékleten az ammóniával és hidrogénnel szemben, valamint jó hőstabilitás. Az úgynevezett ultramagas...Olvass tovább -
Mi az epitaxia?
A legtöbb mérnök nem ismeri az epitaxiát, amely fontos szerepet játszik a félvezető eszközök gyártásában. Az epitaxia különböző chip-termékekben használható, és a különböző termékek különböző típusú epitaxiával rendelkeznek, beleértve a Si-epitaxiát, a SiC-epitaxiát, a GaN-epitaxiát stb. Mi az epitaxia? Epitaxia én...Olvass tovább