-
Mi az a tantál-karbid?
A tantál-karbid (TaC) tantál és szén kettős vegyülete, amelynek kémiai képlete TaC x, ahol x általában 0,4 és 1 között változik. Rendkívül kemény, törékeny, tűzálló kerámia anyagok, fémes vezetőképességgel. Barna-szürke porok és mi...Olvass tovább -
mi az a tantál-karbid
A tantál-karbid (TaC) egy ultramagas hőmérsékletű kerámia anyag, magas hőmérséklet-állósággal, nagy sűrűséggel és nagy tömörséggel; nagy tisztaságú, szennyeződéstartalom <5PPM; és kémiai közömbösség magas hőmérsékleten az ammóniával és hidrogénnel szemben, valamint jó hőstabilitás. Az úgynevezett ultramagas...Olvass tovább -
Mi az epitaxia?
A legtöbb mérnök nem ismeri az epitaxiát, amely fontos szerepet játszik a félvezető eszközök gyártásában. Az epitaxia különböző chip-termékekben használható, és a különböző termékek különböző típusú epitaxiával rendelkeznek, beleértve a Si-epitaxiát, a SiC-epitaxiát, a GaN-epitaxiát stb. Mi az epitaxia?Az epitaxia...Olvass tovább -
Melyek a SiC fontos paraméterei?
A szilícium-karbid (SiC) egy fontos szélessávú félvezető anyag, amelyet széles körben használnak nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás elektronikai eszközökben. Az alábbiakban felsoroljuk a szilícium-karbid lapkák néhány kulcsfontosságú paraméterét és azok részletes magyarázatát: Rácsparaméterek: Győződjön meg arról, hogy a ...Olvass tovább -
Miért kell az egykristályos szilíciumot hengerelni?
A hengerlés egy szilícium egykristály rúd külső átmérőjének megfelelő átmérőjű egykristályos rúddá csiszolásának folyamatát jelenti gyémánt köszörűkorong segítségével, majd az egykristály rúd lapos él referenciafelületét vagy pozicionáló hornyát csiszolják ki. A külső átmérőjű felület...Olvass tovább -
Eljárások kiváló minőségű SiC-porok előállítására
A szilícium-karbid (SiC) egy szervetlen vegyület, amely kivételes tulajdonságairól ismert. A természetben előforduló SiC, más néven moissanit, meglehetősen ritka. Az ipari alkalmazásokban a szilícium-karbidot túlnyomórészt szintetikus módszerekkel állítják elő. A Semicera Semiconductornál fejlett technológiát alkalmazunk...Olvass tovább -
A radiális ellenállás egyenletességének szabályozása kristályhúzás közben
Az egykristályok radiális fajlagos ellenállásának egyenletességét befolyásoló fő okok a szilárd-folyadék határfelület lapossága és a kristálynövekedés során kialakuló kis síkhatás A szilárd-folyadék határfelület síkságának hatása A kristálynövekedés során, ha az olvadékot egyenletesen keverjük. , a...Olvass tovább -
Miért javíthatja a mágneses mező egykristály kemence az egykristály minőségét?
Mivel a tégelyt tartályként használják, és belül konvekció van, a keletkező egykristály méretének növekedésével a hőkonvekció és a hőmérsékleti gradiens egyenletessége nehezebbé válik. Mágneses mező hozzáadásával a vezető olvadék a Lorentz-erőre hat, a konvekció...Olvass tovább -
SiC egykristályok gyors növekedése CVD-SiC ömlesztett forrás felhasználásával szublimációs módszerrel
SiC egykristály gyors növekedése CVD-SiC ömlesztett forrás felhasználásával szublimációs módszerrel Az újrahasznosított CVD-SiC blokkok SiC forrásként történő felhasználásával a SiC kristályokat sikeresen tenyésztették 1,46 mm/h sebességgel a PVT módszerrel. A kinőtt kristály mikrocső és diszlokációs sűrűsége arra utal, hogy...Olvass tovább -
Optimalizált és lefordított tartalom szilícium-karbid epitaxiális növesztő berendezésen
A szilícium-karbid (SiC) hordozók számos olyan hibával rendelkeznek, amelyek megakadályozzák a közvetlen feldolgozást. A chip ostyák létrehozásához egy speciális egykristály filmet kell növeszteni a SiC szubsztrátumon epitaxiális eljárással. Ez a film epitaxiális rétegként ismert. Szinte az összes SiC eszköz epitaxiális...Olvass tovább -
A SiC bevonatú grafit szuszceptorok döntő szerepe és alkalmazási esetei a félvezető gyártásban
A Semicera Semiconductor azt tervezi, hogy globálisan növeli a félvezetőgyártó berendezések magkomponenseinek gyártását. 2027-re egy új, 20 000 négyzetméteres gyár létrehozását tűztük ki célul, összesen 70 millió USD beruházással. Egyik alapvető összetevőnk, a szilícium-karbid (SiC) szelet...Olvass tovább -
Miért kell epitaxiát végeznünk szilícium ostya szubsztrátumokon?
A félvezetőipari láncban, különösen a harmadik generációs félvezető (széles sávszélességű félvezető) ipari láncban vannak szubsztrátok és epitaxiális rétegek. Mi a jelentősége az epitaxiális rétegnek? Mi a különbség a szubsztrátum és az aljzat között? Az alsz...Olvass tovább