A félvezetőgyártás területén aSiC lapátdöntő szerepet játszik, különösen az epitaxiális növekedési folyamatban. Kulcsfontosságú összetevőként használjákMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) rendszerek,SiC lapátokÚgy tervezték, hogy ellenálljanak a magas hőmérsékletnek és a kémiailag zord környezetnek, így nélkülözhetetlenek a fejlett gyártáshoz. A Semiceránál nagy teljesítményű termékek gyártására specializálódtunkSiC lapátokmindkettőre terveztékSi EpitaxiaésSiC epitaxia, amely kivételes tartósságot és hőstabilitást kínál.
A SiC lapátok használata különösen elterjedt az olyan folyamatokban, mint az epitaxiális növekedés, ahol a szubsztrátum pontos termikus és kémiai feltételeket igényel. Semicera termékeink optimális teljesítményt biztosítanak olyan környezetben, ahol aMOCVD szuszceptor, ahol kiváló minőségű szilícium-karbid rétegek kerülnek az aljzatokra. Ez hozzájárul a javuláshozostyaminőség és nagyobb eszközhatékonyság a félvezetőgyártásban.
SemiceraSiC lapátoknem csak arra terveztékSi Epitaxiahanem számos más kritikus alkalmazáshoz is szabott. Például kompatibilisek a PSS Etching Carrierekkel, amelyek elengedhetetlenek a LED-es lapkák gyártásában, ésICP rézkarchordozók, ahol az ostyák formázásához pontos ionszabályozás szükséges. Ezek a lapátok olyan rendszerek szerves részét képezik, mintRTP hordozók(Rapid Thermal Processing), ahol a gyors hőmérséklet-átmenetek és a magas hővezető képesség a legfontosabb.
Ezenkívül a SiC lapátok LED epitaxiális szuszceptorként is szolgálnak, elősegítve a nagy hatékonyságú LED lapátok növekedését. A változó termikus és környezeti feszültségek kezelésére való képessége rendkívül sokoldalúvá teszi őket a különböző félvezető-gyártási folyamatokban.
Összességében a Semicera elkötelezett amellett, hogy olyan SiC lapátokat szállítson, amelyek megfelelnek a modern félvezetőgyártás szigorú követelményeinek. A SiC Epitaxytól a MOCVD szuszceptorokig megoldásaink nagyobb megbízhatóságot és teljesítményt biztosítanak, kielégítve az iparág élvonalbeli igényeit.
Feladás időpontja: 2024.07.07