Melyek a SiC hordozók feldolgozásának fő lépései?

A SiC szubsztrátumok előállítási és feldolgozási lépései a következők:

1. Kristály orientáció: Röntgen-diffrakció használata a kristályrúd orientálására.Ha a röntgensugár a kívánt kristályfelületre irányul, a diffrakciós sugár szöge határozza meg a kristály orientációját.

2. Külső átmérőjű csiszolás: A grafittégelyekben termesztett egykristályok gyakran meghaladják a szabványos átmérőt.A külső átmérőjű köszörülés szabványos méretre csökkenti őket.

Végoldali csiszolás: A 4 hüvelykes 4H-SiC szubsztrátumoknak általában két pozicionáló élük van, az elsődleges és a másodlagos.A homlokfelület köszörülése ezeket a pozicionáló éleket nyitja meg.

3. Drótfűrészelés: A drótfűrészelés a 4H-SiC szubsztrátumok feldolgozása döntő lépése.A drótfűrészelés során keletkező repedések és felszín alatti sérülések negatívan befolyásolják a további folyamatokat, meghosszabbítják a feldolgozási időt és anyagveszteséget okoznak.A leggyakoribb módszer a többhuzalos fűrészelés gyémánt csiszolóanyaggal.A 4H-SiC tuskó vágásához gyémánt csiszolóanyaggal ragasztott fémhuzalok oda-vissza mozgását használják.

4. Letörés: Az élek letöredezésének megelőzése és a későbbi folyamatok során fellépő fogyóanyag-veszteségek csökkentése érdekében a drótfűrészelt forgács éles széleit meghatározott formákra levágják.

5. Vékonyítás: A drótfűrészelés sok karcolást és felületi sérülést hagy maga után.A ritkítás gyémánt kerekekkel történik, hogy ezeket a hibákat a lehető legnagyobb mértékben eltávolítsák.

6. Csiszolás: Ez a folyamat durva köszörülést és finomcsiszolást foglal magában, kisebb méretű bór-karbid vagy gyémánt csiszolóanyag használatával a maradék sérülések és a hígítás során keletkezett új sérülések eltávolítására.

7. Polírozás: Az utolsó lépések durva polírozást és finom polírozást foglalnak magukban alumínium-oxid vagy szilícium-oxid csiszolóanyag használatával.A polírozó folyadék meglágyítja a felületet, amelyet mechanikusan eltávolítanak a csiszolóanyagok.Ez a lépés sima és sértetlen felületet biztosít.

8. Tisztítás: A feldolgozási lépésekből visszamaradt részecskék, fémek, oxidfilmek, szerves maradványok és egyéb szennyeződések eltávolítása.

SiC epitaxia (2) – 副本 (1) (1)


Feladás időpontja: 2024. május 15