Melyek a SiC hordozók feldolgozásának fő lépései?

A SiC szubsztrátumok előállítási és feldolgozási lépései a következők:

1. Kristály orientáció: Röntgen-diffrakció használata a kristályrúd orientálására. Ha a röntgensugár a kívánt kristályfelületre irányul, a diffrakciós sugár szöge határozza meg a kristály orientációját.

2. Külső átmérőjű csiszolás: A grafittégelyekben termesztett egykristályok gyakran meghaladják a szabványos átmérőt. A külső átmérőjű köszörülés szabványos méretre csökkenti őket.

图片 2

 

3. Végoldali csiszolás: A 4 hüvelykes 4H-SiC hordozóknak általában két pozicionáló élük van, az elsődleges és a másodlagos. A homlokfelület köszörülése ezeket a pozícionáló éleket nyitja meg.

4. Drótfűrészelés: A drótfűrészelés döntő lépés a 4H-SiC szubsztrátumok feldolgozásában. A drótfűrészelés során keletkező repedések és felszín alatti sérülések negatívan befolyásolják a további folyamatokat, meghosszabbítják a feldolgozási időt és anyagveszteséget okoznak. A leggyakoribb módszer a többhuzalos fűrészelés gyémánt csiszolóanyaggal. A 4H-SiC tuskó vágásához gyémánt csiszolóanyaggal ragasztott fémhuzalok oda-vissza mozgását használják.

5. Letörés: Az élletörés elkerülése és a további folyamatok során fellépő fogyóanyag-veszteségek csökkentése érdekében a drótfűrészelt forgács éles széleit meghatározott formákra levágják.

6. Vékonyítás: A drótfűrészelés sok karcolást és felületi sérülést hagy maga után. A ritkítás gyémánt kerekekkel történik, hogy ezeket a hibákat a lehető legnagyobb mértékben eltávolítsák.

7. Köszörülés: Ez a folyamat durva köszörülést és finomcsiszolást foglal magában, kisebb méretű bór-karbid vagy gyémánt csiszolóanyag használatával a maradék sérülések és a hígítás során keletkezett új sérülések eltávolítására.

8. Polírozás: Az utolsó lépések durva polírozást és finom polírozást foglalnak magukban alumínium-oxid vagy szilícium-oxid csiszolóanyag használatával. A polírozó folyadék meglágyítja a felületet, amelyet ezután mechanikusan eltávolítanak a csiszolóanyagok. Ez a lépés sima és sértetlen felületet biztosít.

图片 1

9. Tisztítás: A feldolgozási lépésekből visszamaradt részecskék, fémek, oxidfilmek, szerves maradványok és egyéb szennyeződések eltávolítása.


Feladás időpontja: 2024. május 15