Szilícium-karbid (SiC)fontos szélessávú félvezető anyag, amelyet széles körben használnak nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás elektronikai eszközökben. Az alábbiakban bemutatunk néhány kulcsfontosságú paramétertszilícium-karbid ostyákés azok részletes magyarázata:
Rács paraméterei:
Győződjön meg arról, hogy a hordozó rácsállandója megegyezik a növesztendő epitaxiális réteggel, hogy csökkentse a hibákat és a feszültséget.
Például a 4H-SiC és a 6H-SiC különböző rácsállandókkal rendelkezik, ami befolyásolja az epitaxiális réteg minőségét és az eszköz teljesítményét.
Halmozási sorrend:
A SiC makro léptékben 1:1 arányban szilícium atomokból és szénatomokból áll, de az atomrétegek elrendezési sorrendje eltérő, amitől eltérő kristályszerkezetek alakulnak ki.
A gyakori kristályformák közé tartozik a 3C-SiC (köbös szerkezet), a 4H-SiC (hatszögletű szerkezet) és a 6H-SiC (hatszögletű szerkezet), és a megfelelő halmozási szekvenciák a következők: ABC, ABCB, ABCACB stb. Minden kristályforma különböző elektronikus jellemzői és fizikai tulajdonságai, ezért a megfelelő kristályforma kiválasztása döntő fontosságú bizonyos alkalmazásokhoz.
Mohs-keménység: Meghatározza az aljzat keménységét, amely befolyásolja a feldolgozás egyszerűségét és a kopásállóságot.
A szilícium-karbid Mohs-keménysége nagyon magas, általában 9-9,5 között van, így nagyon kemény anyag, amely alkalmas nagy kopásállóságot igénylő alkalmazásokhoz.
Sűrűség: Befolyásolja az aljzat mechanikai szilárdságát és termikus tulajdonságait.
A nagy sűrűség általában jobb mechanikai szilárdságot és hővezető képességet jelent.
Hőtágulási együttható: A szubsztrát hosszának vagy térfogatának az eredeti hosszhoz vagy térfogathoz viszonyított növekedését jelenti, amikor a hőmérséklet egy Celsius-fokkal emelkedik.
A hordozó és az epitaxiális réteg közötti illeszkedés a hőmérséklet-változások hatására befolyásolja a készülék hőstabilitását.
Törésmutató: Az optikai alkalmazásoknál a törésmutató kulcsfontosságú paraméter az optoelektronikai eszközök tervezésében.
A törésmutató különbségei befolyásolják a fényhullámok sebességét és útját az anyagban.
Dielektromos állandó: Befolyásolja az eszköz kapacitási jellemzőit.
Az alacsonyabb dielektromos állandó csökkenti a parazita kapacitást és javítja az eszköz teljesítményét.
Hővezetőképesség:
Kritikus a nagy teljesítményű és magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz, befolyásolva a készülék hűtési hatékonyságát.
A szilícium-karbid magas hővezető képessége miatt kiválóan alkalmas nagy teljesítményű elektronikai eszközökhöz, mivel hatékonyan képes elvezetni a hőt az eszközről.
Sávköz:
A félvezető anyagban lévő vegyértéksáv teteje és a vezetési sáv alsó része közötti energiakülönbségre utal.
A széles hézagú anyagok nagyobb energiát igényelnek az elektronátmenetek stimulálásához, ami miatt a szilícium-karbid jól teljesít magas hőmérsékletű és nagy sugárzású környezetben.
Leállási elektromos mező:
Az a határfeszültség, amelyet egy félvezető anyag ellenáll.
A szilícium-karbid nagyon nagy áttörési elektromos mezővel rendelkezik, amely lehetővé teszi, hogy rendkívül magas feszültséget tönkremenjen.
Telítettség eltolódási sebessége:
Az a maximális átlagsebesség, amelyet a hordozók elérhetnek egy bizonyos elektromos mező alkalmazása után egy félvezető anyagban.
Amikor az elektromos térerősség egy bizonyos szintre nő, a vivősebesség már nem növekszik az elektromos tér további fokozásával. Az ekkori sebességet telítési sodródási sebességnek nevezzük. A SiC nagy telítési sodródási sebességgel rendelkezik, ami előnyös a nagy sebességű elektronikus eszközök megvalósításához.
Ezek a paraméterek együttesen határozzák meg a teljesítményt és az alkalmazhatóságotSiC ostyákkülönféle alkalmazásokban, különösen nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és magas hőmérsékletű környezetben.
Feladás időpontja: 2024. július 30