Növekedés ellenőrzése
Aszilícium-karbid (SiC)Az oltókristályokat a vázolt eljárás szerint állítottuk elő, és SiC kristálynövesztéssel validáltuk. A használt növekedési platform egy saját fejlesztésű SiC indukciós növesztő kemence volt, 2200 ℃ növekedési hőmérséklettel, 200 Pa növekedési nyomással és 100 órás növekedési időtartammal.
Az előkészületek a6 hüvelykes SiC ostyamind a karbon, mind a szilícium felület polírozott, aostyavastagság egyenletessége ≤10 µm, és a szilícium felületi érdesség ≤0,3 nm. Készült egy 200 mm átmérőjű, 500 µm vastag grafitpapír is, ragasztóval, alkohollal és szöszmentes kendővel.
ASiC ostyacentrifugálással vonták be ragasztóval a kötőfelületre 15 másodpercig 1500 fordulat/perc sebességgel.
A ragasztó a ragasztófelületen aSiC ostyafőzőlapon szárították.
A grafitpapír ésSiC ostya(a kötési felület lefelé néz) alulról felfelé halmoztuk fel és helyeztük a magkristály forrópréskemencébe. A melegsajtolás az előre beállított melegsajtolási eljárás szerint történt. A 6. ábra a magkristály felületét mutatja a növekedési folyamat után. Látható, hogy az oltókristály felülete sima, delamináció jelei nélkül, ami arra utal, hogy a jelen tanulmányban előállított SiC oltókristályok jó minőségűek és sűrű kötőréteggel rendelkeznek.
Következtetés
Figyelembe véve a magkristályok rögzítésének jelenlegi kötési és akasztási módszereit, egy kombinált kötési és akasztási módszert javasoltak. Ez a tanulmány a szénfilm előkészítésére és aostya/grafitpapír ragasztási folyamat szükséges ehhez a módszerhez, ami a következő következtetésekhez vezet:
Az ostyán lévő szénfilmhez szükséges ragasztó viszkozitása 100 mPa·s kell, hogy legyen, ≥600 ℃ elszenesedési hőmérséklet mellett. Az optimális karbonizációs környezet az argon által védett atmoszféra. Ha vákuum körülmények között végzik, a vákuum mértékének ≤1 Pa-nak kell lennie.
Mind a karbonizációs, mind a kötési folyamatok megkövetelik az ostya felületén lévő karbonizáló és kötőragasztók alacsony hőmérsékletű kikeményítését, hogy a gázokat kivezessék a ragasztóból, megakadályozva ezzel a leválást és a kötőréteg üreges hibáit a karbonizáció során.
Az ostya/grafitpapírhoz használt ragasztó ragasztó viszkozitása 25 mPa·s, kötési nyomása ≥15 kN legyen. A ragasztási folyamat során a hőmérsékletet lassan, az alacsony hőmérsékleti tartományban (<120 ℃) kell emelni, körülbelül 1,5 óra alatt. A SiC kristálynövekedés ellenőrzése megerősítette, hogy az elkészített SiC oltókristályok megfelelnek a kiváló minőségű SiC kristálynövekedés követelményeinek, sima oltókristályfelületekkel és csapadékmentesen.
Feladás időpontja: 2024. június 11