Jelenleg az elkészítési módokSiC bevonatelsősorban a gél-szol módszert, a beágyazási módszert, az ecsettel történő bevonási módszert, a plazmapermetezési módszert, a kémiai gőzreakciós módszert (CVR) és a kémiai gőzleválasztási módszert (CVD) tartalmazza.
Beágyazási módszer
Ez a módszer egyfajta magas hőmérsékletű szilárd fázisú szinterezés, amely elsősorban Si-port és C-port használ beágyazóporként,grafitmátrixa beágyazóporban, és magas hőmérsékleten inert gázban szinterelik, és végül megkapjákSiC bevonatgrafitmátrix felületén. Ez a módszer egyszerű folyamat, és a bevonat és a mátrix jól kötődik, de a bevonat egyenletessége a vastagság irányában gyenge, és könnyű több lyukat készíteni, ami rossz oxidációs ellenállást eredményez.
Ecset bevonási módszer
Az ecsettel történő bevonási módszer főként a folyékony nyersanyagot a grafitmátrix felületére keni, majd egy bizonyos hőmérsékleten megszilárdítja a bevonat elkészítéséhez. Ez a módszer egyszerű és alacsony költségű, de az ecsettel történő bevonási módszerrel készített bevonat gyenge kötéssel rendelkezik a mátrixszal, gyenge a bevonat egyenletessége, vékony bevonattal és alacsony oxidációs ellenállással rendelkezik, és más módszereket igényel.
Plazma permetezési módszer
A plazmapermetezési módszer főként plazmapisztolyt használ az olvadt vagy félig olvadt nyersanyagok permetezésére a grafit szubsztrát felületére, majd megszilárdul és megköt, így bevonatot képez. Ez a módszer egyszerűen kezelhető, és viszonylag sűrűt készíthetszilícium-karbid bevonat, hanem aszilícium-karbid bevonatAz ezzel a módszerrel előállított anyag gyakran túl gyenge ahhoz, hogy erős oxidációs ellenállással rendelkezzen, ezért általában SiC kompozit bevonatok készítésére használják a bevonat minőségének javítása érdekében.
Gél-szol módszer
A gél-szol módszerrel főként egységes és átlátszó szololdatot készítenek az aljzat felületének befedésére, azt zseléssé szárítják, majd szinterelve bevonatot kapnak. Ez a módszer egyszerűen kezelhető és alacsony költséggel jár, de az elkészített bevonatnak vannak olyan hátrányai, mint az alacsony hősokkállóság és a könnyű repedés, ezért nem alkalmazható széles körben.
Kémiai gőzreakciós módszer (CVR)
A CVR főként SiO-gőzt termel SiO és SiO2 por felhasználásával magas hőmérsékleten, és a C anyagú szubsztrát felületén egy sor kémiai reakció megy végbe SiC bevonat létrehozásához. Az ezzel a módszerrel készített SiC bevonat szorosan kötődik az aljzathoz, de a reakcióhőmérséklet magas és a költségek is magasak.
Feladás időpontja: 2024. június 24