PART/1CVD (kémiai gőzfázisú leválasztás) módszer: 900-2300 °C-on, TaCl5 és CnHm tantál- és szénforrásként, H2 redukáló atmoszféraként, Ar2-hordozógáz, reakcióleválasztó film. Az elkészített bevonat kompakt, egyenletes és nagy tisztaságú. Van azonban néhány probléma...
Olvass tovább