MOCVD szuszceptor az epitaxiális növekedéshez

A MOCVD Susceptor for Epitaxial Growth by semicera, egy vezető megoldás, amelyet az epitaxiális növekedési folyamat optimalizálására terveztek fejlett félvezető alkalmazásokhoz. A Semicera MOCVD szuszceptorja pontos szabályozást biztosít a hőmérséklet és az anyaglerakódás felett, így ideális választás a kiváló minőségű Si Epitaxy és SiC Epitaxy eléréséhez. Robusztus felépítése és magas hővezető képessége egyenletes teljesítményt tesz lehetővé igényes környezetben, biztosítva az epitaxiális növekedési rendszerekhez szükséges megbízhatóságot.

Ez a MOCVD szuszceptor kompatibilis a különböző epitaxiális alkalmazásokkal, beleértve a monokristályos szilícium előállítását és a GaN SiC Epitaxy-n történő növekedését, így elengedhetetlen összetevője a csúcsminőségű eredményeket kereső gyártóknak. Ezenkívül zökkenőmentesen működik a PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier és RTP Carrier rendszerekkel, növelve a folyamatok hatékonyságát és hozamát. A szuszceptor alkalmas LED epitaxiális szuszceptor alkalmazásokhoz és más fejlett félvezető gyártási folyamatokhoz is.

Sokoldalú kialakításának köszönhetően a semicera MOCVD szuszceptorja Pancake szuszceptorokhoz és hordószuszceptorokhoz illeszthető, rugalmasságot biztosítva a különböző gyártási beállításokban. A fotovoltaikus alkatrészek integrációja tovább bővíti alkalmazását, így ideális a félvezető- és a napenergia-ipar számára. Ez a nagy teljesítményű megoldás kiváló termikus stabilitást és tartósságot biztosít, hosszú távú hatékonyságot biztosítva az epitaxiális növekedési folyamatokban.