InP és CdTe szubsztrát

Rövid leírás:

A Semicera InP és CdTe Substrate megoldásait nagy teljesítményű alkalmazásokhoz tervezték a félvezető- és napenergia-iparban. InP (indium-foszfid) és CdTe (kadmium-tellurid) hordozóink kivételes anyagtulajdonságokat kínálnak, beleértve a nagy hatékonyságot, a kiváló elektromos vezetőképességet és a robusztus hőstabilitást. Ezek a hordozók ideálisak fejlett optoelektronikai eszközökben, nagyfrekvenciás tranzisztorokban és vékonyfilmes napelemekben való használatra, megbízható alapot biztosítva a legmodernebb technológiákhoz.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

SemicerávalInP és CdTe szubsztrát, kiváló minőségre és precíziós tervezésre számíthat, amely megfelel a gyártási folyamatok speciális igényeinek. Legyen szó fotovoltaikus alkalmazásokról vagy félvezető eszközökről, hordozóink úgy vannak kialakítva, hogy biztosítsák az optimális teljesítményt, tartósságot és konzisztenciát. Megbízható beszállítóként a Semicera elkötelezett amellett, hogy kiváló minőségű, testreszabható szubsztrátummegoldásokat szállítson, amelyek ösztönzik az innovációt az elektronikai és a megújuló energia szektorban.

Kristályos és elektromos tulajdonságok^✽¹

Írja be	Adalékanyag	EPD (cm)^–2(Lásd lentebb A.)	DF (Hibamentes) terület (cm).², Lásd lentebb B.)	c/c cm^–3）	Mobilit (y cm²/Vs)	Ellenállás (y Ω・cm)
n	Sn	≦5×10⁴ ≦1×10⁴ ≦5×10³	──────	(0,5-6) × 10¹⁸	──────	──────
n	S	──────	≧ 10 (59,4%) ≧ 15 (87%).4	(2-10) × 10¹⁸	──────	──────
p	Zn	──────	≧ 10 (59,4%) ≧ 15 (87%).	(3-6) × 10¹⁸	──────	──────
SI	Fe	≦5×10⁴ ≦1×10⁴	──────	──────	──────	≧ 1×10⁶
n	egyik sem	≦5×10⁴	──────	≦1×10¹⁶	≧ 4×10³	──────