Semicera nagy tisztaságúSzilícium-karbid lapátaprólékosan megtervezett, hogy megfeleljen a modern félvezetőgyártási folyamatok szigorú követelményeinek. EzSiC konzolos lapátkiváló a magas hőmérsékletű környezetben, páratlan hőstabilitást és mechanikai tartósságot kínálva. A SiC konzolos szerkezet úgy készült, hogy ellenálljon a szélsőséges körülményeknek, így biztosítva a megbízható szeletkezelést a különböző folyamatok során.
Az egyik legfontosabb újítás aSiC lapátkönnyű, de robusztus kialakítása, amely lehetővé teszi a meglévő rendszerekbe való egyszerű integrációt. Magas hővezető képessége segít megőrizni az ostya stabilitását olyan kritikus fázisokban, mint a maratás és lerakás, minimalizálva az ostya sérülésének kockázatát és nagyobb termelési hozamot biztosítva. A nagy sűrűségű szilícium-karbid használata a lapátszerkezetben növeli a kopásállóságát, meghosszabbítja az élettartamot és csökkenti a gyakori cserék szükségességét.
A Semicera nagy hangsúlyt fektet az innovációra, és aSiC konzolos lapátamely nemcsak megfelel, hanem túl is haladja az ipari szabványokat. Ezt a lapátot különféle félvezető alkalmazásokhoz optimalizálták, a lerakástól a maratásig, ahol a pontosság és a megbízhatóság kulcsfontosságú. Ennek az élvonalbeli technológiának az integrálásával a gyártók nagyobb hatékonyságra, alacsonyabb karbantartási költségekre és egyenletes termékminőségre számíthatnak.
Az újrakristályosított szilícium-karbid fizikai tulajdonságai | |
Ingatlan | Tipikus érték |
Üzemi hőmérséklet (°C) | 1600°C (oxigénnel), 1700°C (redukáló környezet) |
SiC tartalom | > 99,96% |
Ingyenes Si tartalom | < 0,1% |
Térfogatsűrűség | 2,60-2,70 g/cm3 |
Látszólagos porozitás | < 16% |
Nyomószilárdság | > 600 MPa |
Hideg hajlítószilárdság | 80-90 MPa (20°C) |
Meleg hajlítószilárdság | 90-100 MPa (1400°C) |
Hőtágulás 1500°C-on | 4,70 10-6/°C |
Hővezetőképesség @1200°C | 23 W/m•K |
Rugalmassági modulus | 240 GPa |
Hőütésállóság | Rendkívül jó |