Nagy tisztaságú SiC por

Rövid leírás:

A Semicera nagy tisztaságú SiC-pora kivételesen magas szén- és szilíciumtartalommal büszkélkedhet, 4N és 6N közötti tisztasági szinttel. A nanométertől a mikrométerig terjedő részecskemérettel nagy fajlagos felülettel rendelkezik. A Semicera SiC por fokozza a reakcióképességet, a diszpergálhatóságot és a felületi aktivitást, ideális a fejlett anyagok felhasználásához.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

Szilícium-karbid (SiC)Gyorsan válik előnyben részesített választássá a szilíciummal szemben az elektronikus alkatrészek esetében, különösen a széles sávszélességű alkalmazásokban. A SiC fokozott energiahatékonyságot, kompakt méretet, kisebb súlyt és alacsonyabb rendszerköltségeket kínál.

A nagy tisztaságú szilícium-karbid-porok iránti kereslet az elektronikai és félvezetőiparban arra késztette a Semicerát, hogy kiváló, nagy tisztaságú terméket fejlesszen ki.SiC por. A Semicera innovatív módszere a nagy tisztaságú SiC előállítására olyan porokat eredményez, amelyek simább morfológiai változásokat, lassabb anyagfelhasználást és stabilabb növekedési felületeket mutatnak a kristálynövekedési beállításokban.

Nagy tisztaságú SiC porunk különböző méretekben kapható, és testreszabható az ügyfelek egyedi igényeinek megfelelően. További részletekért és a projekt megvitatásához forduljon a Semicerához.