Az atomi réteges leválasztás (ALD) egy kémiai gőzleválasztási technológia, amely rétegről rétegre vékony filmeket növeszt két vagy több prekurzor molekula váltakozó injektálásával. Az ALD előnye a nagy szabályozhatóság és egységesség, és széles körben használható félvezető eszközökben, optoelektronikai eszközökben, energiatároló eszközökben és más területeken. Az ALD alapelvei közé tartozik a prekurzor adszorpció, a felületi reakció és a melléktermékek eltávolítása, ezen lépések cikluson belüli megismétlésével többrétegű anyagok is előállíthatók. Az ALD jellemzői és előnyei a nagy szabályozhatóság, az egyenletesség és a nem porózus szerkezet, és különféle hordozóanyagok és különféle anyagok lerakására használható.
Az ALD a következő jellemzőkkel és előnyökkel rendelkezik:
1. Magas irányíthatóság:Mivel az ALD egy rétegenkénti növekedési folyamat, az egyes anyagrétegek vastagsága és összetétele pontosan szabályozható.
2. Egységesség:Az ALD egyenletesen tudja lerakni az anyagokat a teljes hordozófelületen, elkerülve a más leválasztási technológiáknál előforduló egyenetlenségeket.
3. Nem porózus szerkezet:Mivel az ALD egyes atomokból vagy molekulákból álló egységekben rakódik le, a kapott film általában sűrű, nem porózus szerkezetű.
4. Jó lefedettség:Az ALD hatékonyan képes lefedni a nagy oldalarányú szerkezeteket, például nanopórusos tömböket, nagy porozitású anyagokat stb.
5. Skálázhatóság:Az ALD számos hordozóanyaghoz használható, beleértve a fémeket, félvezetőket, üveget stb.
6. Sokoldalúság:Különböző prekurzormolekulák kiválasztásával az ALD-eljárás során sokféle anyag rakható le, például fém-oxidok, szulfidok, nitridek stb.
