A Semicera 6 hüvelykes LiNbO3 Bonding Wafer-ét úgy tervezték, hogy megfeleljen a félvezetőipar szigorú szabványainak, és páratlan teljesítményt nyújt kutatási és gyártási környezetben egyaránt. Legyen szó csúcsminőségű optoelektronikáról, MEMS-ről vagy fejlett félvezető csomagolásról, ez a ragasztó ostya biztosítja az élvonalbeli technológiai fejlesztéshez szükséges megbízhatóságot és tartósságot.
A félvezetőiparban a 6 hüvelykes LiNbO3 Bonding Wafert széles körben használják vékony rétegek ragasztására optoelektronikai eszközökben, érzékelőkben és mikroelektromechanikai rendszerekben (MEMS). Kivételes tulajdonságai miatt értékes alkatrész a precíz rétegintegrációt igénylő alkalmazásokhoz, például integrált áramkörök (IC) és fotonikus eszközök gyártása során. Az ostya nagy tisztasága biztosítja, hogy a végtermék megőrizze az optimális teljesítményt, minimálisra csökkentve a szennyeződés kockázatát, amely befolyásolhatja az eszköz megbízhatóságát.
| A LiNbO3 termikus és elektromos tulajdonságai | |
| Olvadáspont | 1250 ℃ |
| Curie hőmérséklet | 1140 ℃ |
| Hővezetőképesség | 38 W/m/K @ 25 ℃ |
| Hőtágulási együttható (@ 25°C) | //a，2,0×10-6/K //c，2,2×10-6/K |
| Ellenállás | 2×10-6Ω·cm @ 200 ℃ |
| Dielektromos állandó | εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0=2 |
| Piezoelektromos állandó | D22=2,04×10-11C/N D33=19,22×10-11C/N |
| Elektro-optikai együttható | γT33=32 pm/V, γS33= 31 óra/é, γT31=10 pm/V, γS31= 20.6/V, γT22=6,8 pm/V， γS22= 15,4 óra/V, |
| Félhullámú feszültség, DC | 3,03 KV 4,02 KV |
A Semicera 6 hüvelykes LiNbO3 Bonding Wafer-ét kifejezetten a félvezető- és optoelektronikai ipar fejlett alkalmazásaihoz tervezték. Kiváló kopásállóságáról, nagy termikus stabilitásáról és kivételes tisztaságáról ismert, ez a ragasztó ostya ideális a nagy teljesítményű félvezetőgyártáshoz, hosszan tartó megbízhatóságot és pontosságot kínál még nehéz körülmények között is.
A legmodernebb technológiával készült 6 hüvelykes LiNbO3 Bonding Wafer minimális szennyeződést biztosít, ami döntő fontosságú a nagy tisztaságot igénylő félvezető-gyártási folyamatokban. Kiváló hőstabilitása lehetővé teszi, hogy ellenálljon a magas hőmérsékletnek a szerkezeti integritás veszélyeztetése nélkül, így megbízható választás a magas hőmérsékletű ragasztási alkalmazásokhoz. Ezen túlmenően az ostya kiemelkedő kopásállósága biztosítja, hogy tartósan folyamatosan működjön, így hosszú távú tartósságot biztosít, és csökkenti a gyakori cserék szükségességét.
