4″ 6″ nagy tisztaságú félszigetelő SiC öntvény

Rövid leírás:

A Semicera 4”6” nagy tisztaságú, félig szigetelő SiC tömbjeit aprólékosan kidolgozták a fejlett elektronikai és optoelektronikai alkalmazásokhoz. A kiváló hővezető képességükkel és elektromos ellenállásukkal ezek a tömbök szilárd alapot biztosítanak a nagy teljesítményű eszközök számára. A Semicera minden termékben egyenletes minőséget és megbízhatóságot biztosít.


Termék részletek

Termékcímkék

A Semicera 4”6” nagy tisztaságú félszigetelő SiC tömbjeit úgy tervezték, hogy megfeleljenek a félvezetőipar szigorú szabványainak. Ezeket az öntvényeket a tisztaságra és a konzisztenciára összpontosítva gyártják, így ideális választás a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz, ahol a teljesítmény a legfontosabb.

Ezeknek a SiC tömböknek az egyedülálló tulajdonságai, beleértve a nagy hővezető képességet és a kiváló elektromos ellenállást, különösen alkalmassá teszik őket teljesítményelektronikában és mikrohullámú készülékekben való használatra. Félig szigetelő jellegük hatékony hőelvezetést és minimális elektromos interferenciát tesz lehetővé, ami hatékonyabb és megbízhatóbb alkatrészeket eredményez.

A Semicera a legmodernebb gyártási eljárásokat alkalmazza, hogy kivételes kristályminőségű és egyenletességű tuskókat állítson elő. Ez a pontosság biztosítja, hogy minden egyes tuskó megbízhatóan használható legyen érzékeny alkalmazásokban, például nagyfrekvenciás erősítőkben, lézerdiódákban és egyéb optoelektronikai eszközökben.

A 4 hüvelykes és 6 hüvelykes méretben is elérhető Semicera SiC tuskói biztosítják a különböző gyártási méretekhez és technológiai követelményekhez szükséges rugalmasságot. Akár kutatásról és fejlesztésről, akár tömeggyártásról van szó, ezek a tuskók azt a teljesítményt és tartósságot biztosítják, amelyet a modern elektronikus rendszerek megkövetelnek.

A Semicera nagy tisztaságú félszigetelő szilícium-karbamid öntvényeinek kiválasztásával olyan termékbe fektet be, amely a fejlett anyagtudományt páratlan gyártási szakértelemmel ötvözi. A Semicera elkötelezett a félvezetőipar innovációjának és növekedésének támogatása mellett, olyan anyagokat kínálva, amelyek lehetővé teszik a legmodernebb elektronikai eszközök fejlesztését.

Tételek

Termelés

Kutatás

Színlelt

Kristály paraméterek

Politípus

4H

Felületi tájolási hiba

<11-20 >4±0,15°

Elektromos paraméterek

Adalékanyag

n-típusú nitrogén

Ellenállás

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanikai paraméterek

Átmérő

150,0±0,2 mm

Vastagság

350±25 μm

Elsődleges lapos tájolás

[1-100]±5°

Elsődleges lapos hossz

47,5±1,5 mm

Másodlagos lakás

Egyik sem

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Íj

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Elülső (Si-felület) érdesség (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Szerkezet

Mikrocső sűrűsége

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Fém szennyeződések

≤5E10 atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 e/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Elülső minőség

Elülső

Si

Felületkezelés

Si-face CMP

Részecskék

≤60ea/ostya (méret≥0,3μm)

NA

Karcolások

≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő

Összesített hossz≤2*Átmérő

NA

Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés

Egyik sem

NA

Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek

Egyik sem

Politípus területek

Egyik sem

Összesített terület ≤ 20%

Összesített terület ≤30%

Elülső lézeres jelölés

Egyik sem

Hátsó minőség

Hátsó befejezés

C-arcú CMP

Karcolások

≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő

NA

Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások)

Egyik sem

Hát érdesség

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Hátsó lézeres jelölés

1 mm (felső éltől)

Él

Él

Letörés

Csomagolás

Csomagolás

Epi-ready vákuum csomagolással

Több ostyás kazettás csomagolás

*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak.

tech_1_2_size
SiC ostyák

  • Előző:
  • Következő: