A Semicera 4 hüvelykes N-típusú SiC szubsztrátumait úgy alakították ki, hogy megfeleljenek a félvezetőipar szigorú szabványainak. Ezek az aljzatok nagy teljesítményű alapot biztosítanak az elektronikus alkalmazások széles skálájához, kivételes vezetőképességet és termikus tulajdonságokat kínálva.
Ezeknek a SiC hordozóknak az N-típusú adalékolása növeli az elektromos vezetőképességüket, így különösen alkalmasak nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz. Ez a tulajdonság lehetővé teszi az olyan eszközök hatékony működését, mint a diódák, tranzisztorok és erősítők, ahol az energiaveszteség minimalizálása kulcsfontosságú.
A Semicera a legmodernebb gyártási eljárásokat alkalmazza annak biztosítására, hogy minden egyes hordozó kiváló felületi minőséget és egyenletességet mutatjon. Ez a pontosság kritikus fontosságú a teljesítményelektronikában, mikrohullámú készülékekben és más olyan technológiákban, amelyek megbízható teljesítményt igényelnek extrém körülmények között is.
A Semicera N-típusú SiC szubsztrátjainak gyártósorba való beépítése azt jelenti, hogy olyan anyagokból részesül, amelyek kiváló hőelvezetést és elektromos stabilitást biztosítanak. Ezek a hordozók ideálisak tartósságot és hatékonyságot igénylő alkatrészek, például teljesítménykonverziós rendszerek és RF erősítők létrehozásához.
Ha a Semicera 4 hüvelykes N-típusú SiC szubsztrátumait választja, olyan termékbe fektet be, amely egyesíti az innovatív anyagtudományt az aprólékos kivitelezéssel. A Semicera továbbra is vezető szerepet tölt be az iparágban azáltal, hogy olyan megoldásokat kínál, amelyek támogatják az élvonalbeli félvezető technológiák fejlesztését, biztosítva a nagy teljesítményt és megbízhatóságot.
| Tételek | Termelés | Kutatás | Színlelt |
| Kristály paraméterek | |||
| Politípus | 4H | ||
| Felületi tájolási hiba | <11-20 >4±0,15° | ||
| Elektromos paraméterek | |||
| Adalékanyag | n-típusú nitrogén | ||
| Ellenállás | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Mechanikai paraméterek | |||
| Átmérő | 150,0±0,2 mm | ||
| Vastagság | 350±25 μm | ||
| Elsődleges lapos tájolás | [1-100]±5° | ||
| Elsődleges lapos hossz | 47,5±1,5 mm | ||
| Másodlagos lakás | Egyik sem | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Íj | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Elülső (Si-felület) érdesség (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Szerkezet | |||
| Mikrocső sűrűsége | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
| Fém szennyeződések | ≤5E10 atom/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 e/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Elülső minőség | |||
| Elülső | Si | ||
| Felületkezelés | Si-face CMP | ||
| Részecskék | ≤60ea/ostya (méret≥0,3μm) | NA | |
| Karcolások | ≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő | Összesített hossz≤2*Átmérő | NA |
| Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés | Egyik sem | NA | |
| Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek | Egyik sem | ||
| Politípus területek | Egyik sem | Összesített terület ≤ 20% | Összesített terület ≤30% |
| Elülső lézeres jelölés | Egyik sem | ||
| Hátsó minőség | |||
| Hátsó befejezés | C-arcú CMP | ||
| Karcolások | ≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő | NA | |
| Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások) | Egyik sem | ||
| Hát érdesség | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
| Hátsó lézeres jelölés | 1 mm (felső éltől) | ||
| Él | |||
| Él | Letörés | ||
| Csomagolás | |||
| Csomagolás | Epi-ready vákuum csomagolással Több ostyás kazettás csomagolás | ||
| *Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak. | |||
