A Semicera 4 hüvelykes, nagy tisztaságú félszigetelő (HPSI) SiC kétoldalas polírozott ostya szubsztrátumait úgy alakították ki, hogy megfeleljenek a félvezetőipar szigorú követelményeinek. Ezeket a hordozókat kivételes síksággal és tisztasággal tervezték, optimális platformot kínálva a legmodernebb elektronikai eszközök számára.
Ezek a HPSI SiC lapkák kiváló hővezető képességükkel és elektromos szigetelési tulajdonságaikkal tűnnek ki, így kiváló választás a nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű alkalmazásokhoz. A kétoldalas polírozási eljárás minimális felületi érdességről gondoskodik, ami kulcsfontosságú a készülék teljesítményének és élettartamának növelése szempontjából.
A Semicera SiC lapkák nagy tisztasága minimálisra csökkenti a hibákat és a szennyeződéseket, ami nagyobb hozamot és a készülék megbízhatóságát eredményezi. Ezek a hordozók sokféle alkalmazásra alkalmasak, beleértve a mikrohullámú készülékeket, a teljesítményelektronikát és a LED-technológiákat, ahol elengedhetetlen a pontosság és a tartósság.
Az innovációra és a minőségre összpontosítva a Semicera fejlett gyártási technikákat alkalmaz a modern elektronika szigorú követelményeinek megfelelő lapkák előállítására. A kétoldalas polírozás nemcsak a mechanikai szilárdságot javítja, hanem elősegíti a jobb integrációt más félvezető anyagokkal is.
A Semicera 4 hüvelykes, nagy tisztaságú, félig szigetelő HPSI SiC kétoldalas polírozott ostya szubsztrátumának választásával a gyártók kihasználhatják a továbbfejlesztett hőkezelés és az elektromos szigetelés előnyeit, megnyitva az utat a hatékonyabb és erősebb elektronikus eszközök fejlesztése előtt. A Semicera továbbra is vezető szerepet tölt be az iparágban a minőség és a technológiai fejlődés iránti elkötelezettségével.
Tételek | Termelés | Kutatás | Színlelt |
Kristály paraméterek | |||
Politípus | 4H | ||
Felületi tájolási hiba | <11-20 >4±0,15° | ||
Elektromos paraméterek | |||
Adalékanyag | n-típusú nitrogén | ||
Ellenállás | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Mechanikai paraméterek | |||
Átmérő | 150,0±0,2 mm | ||
Vastagság | 350±25 μm | ||
Elsődleges lapos tájolás | [1-100]±5° | ||
Elsődleges lapos hossz | 47,5±1,5 mm | ||
Másodlagos lakás | Egyik sem | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Íj | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Elülső (Si-felület) érdesség (AFM) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Szerkezet | |||
Mikrocső sűrűsége | <1 e/cm2 | <10 e/cm2 | <15 e/cm2 |
Fém szennyeződések | ≤5E10 atom/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 e/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Elülső minőség | |||
Elülső | Si | ||
Felületkezelés | Si-face CMP | ||
Részecskék | ≤60ea/ostya (méret≥0,3μm) | NA | |
Karcolások | ≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő | Összesített hossz≤2*Átmérő | NA |
Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés | Egyik sem | NA | |
Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek | Egyik sem | ||
Politípus területek | Egyik sem | Összesített terület ≤ 20% | Összesített terület ≤30% |
Elülső lézeres jelölés | Egyik sem | ||
Hátsó minőség | |||
Hátsó befejezés | C-arcú CMP | ||
Karcolások | ≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő | NA | |
Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások) | Egyik sem | ||
Hát érdesség | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) | ||
Hátsó lézeres jelölés | 1 mm (a felső széltől) | ||
Él | |||
Él | Letörés | ||
Csomagolás | |||
Csomagolás | Epi-ready vákuum csomagolással Több ostyás kazettás csomagolás | ||
*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak. |