4 hüvelykes nagy tisztaságú félszigetelő HPSI SiC kétoldalas polírozott ostya szubsztrátum

Rövid leírás:

A Semicera 4 hüvelykes, nagy tisztaságú félszigetelő (HPSI) SiC kétoldalas polírozott ostya szubsztrátumait precíziós tervezéssel a kiváló elektronikus teljesítmény érdekében tervezték. Ezek a lapkák kiváló hővezető képességet és elektromos szigetelést biztosítanak, ideálisak a fejlett félvezető alkalmazásokhoz. Bízzon a Semicerában a páratlan minőségben és az ostyatechnológia innovációjában.


Termék részletek

Termékcímkék

A Semicera 4 hüvelykes, nagy tisztaságú félszigetelő (HPSI) SiC kétoldalas polírozott ostya szubsztrátumait úgy alakították ki, hogy megfeleljenek a félvezetőipar szigorú követelményeinek. Ezeket a hordozókat kivételes síksággal és tisztasággal tervezték, optimális platformot kínálva a legmodernebb elektronikai eszközök számára.

Ezek a HPSI SiC lapkák kiváló hővezető képességükkel és elektromos szigetelési tulajdonságaikkal tűnnek ki, így kiváló választás a nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű alkalmazásokhoz. A kétoldalas polírozási eljárás minimális felületi érdességről gondoskodik, ami kulcsfontosságú az eszköz teljesítményének és élettartamának növelése szempontjából.

A Semicera SiC lapkák nagy tisztasága minimálisra csökkenti a hibákat és a szennyeződéseket, ami nagyobb hozamot és a készülék megbízhatóságát eredményezi. Ezek a hordozók sokféle alkalmazásra alkalmasak, beleértve a mikrohullámú készülékeket, a teljesítményelektronikát és a LED-technológiákat, ahol elengedhetetlen a pontosság és a tartósság.

Az innovációra és a minőségre összpontosítva a Semicera fejlett gyártási technikákat alkalmaz a modern elektronika szigorú követelményeinek megfelelő lapkák előállítására. A kétoldalas polírozás nemcsak a mechanikai szilárdságot javítja, hanem elősegíti a jobb integrációt más félvezető anyagokkal is.

A Semicera 4 hüvelykes, nagy tisztaságú, félig szigetelő HPSI SiC kétoldalas polírozott ostya szubsztrátumának választásával a gyártók kihasználhatják a továbbfejlesztett hőkezelés és az elektromos szigetelés előnyeit, megnyitva az utat a hatékonyabb és erősebb elektronikus eszközök fejlesztése előtt. A Semicera továbbra is vezető szerepet tölt be az iparágban a minőség és a technológiai fejlődés iránti elkötelezettségével.

Tételek

Termelés

Kutatás

Színlelt

Kristály paraméterek

Politípus

4H

Felületi tájolási hiba

<11-20 >4±0,15°

Elektromos paraméterek

Adalékanyag

n-típusú nitrogén

Ellenállás

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanikai paraméterek

Átmérő

150,0±0,2 mm

Vastagság

350±25 μm

Elsődleges lapos tájolás

[1-100]±5°

Elsődleges lapos hossz

47,5±1,5 mm

Másodlagos lakás

Egyik sem

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Íj

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Elülső (Si-felület) érdesség (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Szerkezet

Mikrocső sűrűsége

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Fém szennyeződések

≤5E10 atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 e/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Elülső minőség

Elülső

Si

Felületkezelés

Si-face CMP

Részecskék

≤60ea/ostya (méret≥0,3μm)

NA

Karcolások

≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő

Összesített hossz≤2*Átmérő

NA

Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés

Egyik sem

NA

Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek

Egyik sem

Politípus területek

Egyik sem

Összesített terület ≤ 20%

Összesített terület ≤30%

Elülső lézeres jelölés

Egyik sem

Hátsó minőség

Hátsó befejezés

C-arcú CMP

Karcolások

≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő

NA

Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások)

Egyik sem

Hát érdesség

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Hátsó lézeres jelölés

1 mm (felső éltől)

Él

Él

Letörés

Csomagolás

Csomagolás

Epi-ready vákuum csomagolással

Több ostyás kazettás csomagolás

*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak.

tech_1_2_size
SiC ostyák

  • Előző:
  • Következő: