A Semicera 4" 6" félig szigetelő SiC hordozója egy kiváló minőségű anyag, amelyet úgy terveztek, hogy megfeleljen a rádiófrekvenciás és az erősáramú eszközök alkalmazásainak szigorú követelményeinek. A hordozó a szilícium-karbid kiváló hővezető képességét és nagy áttörési feszültségét félszigetelő tulajdonságokkal ötvözi, így ideális választás a fejlett félvezető eszközök fejlesztéséhez.
A 4"-os, 6"-os félig szigetelő SiC szubsztrátot gondosan gyártják, hogy biztosítsák a nagy tisztaságú anyagot és az egyenletes félszigetelő teljesítményt. Ez biztosítja, hogy a hordozó biztosítja a szükséges elektromos leválasztást az RF eszközökben, például erősítőkben és tranzisztorokban, miközben biztosítja a nagy teljesítményű alkalmazásokhoz szükséges hőhatékonyságot is. Az eredmény egy sokoldalú hordozó, amely a nagy teljesítményű elektronikai termékek széles körében használható.
A Semicera felismeri a megbízható, hibamentes hordozók biztosításának fontosságát a kritikus félvezető alkalmazásokhoz. A 4"-os, 6"-os, félig szigetelő SiC szubsztrátumunkat olyan fejlett gyártási technikákkal állítják elő, amelyek minimalizálják a kristályhibákat és javítják az anyag egyenletességét. Ez lehetővé teszi, hogy a termék támogassa a nagyobb teljesítményű, stabilitású és élettartamú eszközök gyártását.
A Semicera minőség iránti elkötelezettsége biztosítja, hogy a 4"-os 6"-os, félig szigetelő SiC hordozónk megbízható és egyenletes teljesítményt nyújt az alkalmazások széles körében. Függetlenül attól, hogy nagyfrekvenciás eszközöket vagy energiahatékony energiamegoldásokat fejleszt, félig szigetelő SiC hordozóink biztosítják a következő generációs elektronika sikerének alapot.
Alapvető paraméterek
| Méret | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes |
| Átmérő | 150,0 mm+0 mm/-0,2 mm | 100,0 mm+0 mm/-0,5 mm |
| Felületi tájolás | {0001}±0,2° | |
| Elsődleges lapos tájolás | / | <1120>±5° |
| Másodlagos lapos tájolás | / | Szilícium oldallal felfelé: 90° CW a Prime flattől 士5° |
| Elsődleges lapos hossz | / | 32,5 mm 士 2,0 mm |
| Másodlagos lapos hossz | / | 18,0 mm és 2,0 mm |
| Bevágás tájolás | <1100>±1,0° | / |
| Bevágás tájolás | 1,0 mm+0,25 mm/-0,00 mm | / |
| Bevágási szög | 90°+5°/-1° | / |
| Vastagság | 500.0um és 25.0um | |
| Vezető típus | Félig szigetelő | |
Kristályminőségi információk
| ltem | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes |
| Ellenállás | ≥1E9Q·cm | |
| Politípus | Egyik sem engedélyezett | |
| Mikrocső sűrűsége | ≤0,5/cm2 | ≤0,3/cm2 |
| Hex lemezek nagy intenzitású fénnyel | Egyik sem engedélyezett | |
| Vizuális szénzárványok magasak | Összesített terület ≤0,05% | |
Ellenállás – Érintésmentes lemezellenállással tesztelve.
Mikrocső sűrűsége
