4″6″ 8″ N-típusú SiC öntvény

Rövid leírás:

A Semicera 4 hüvelykes, 6 hüvelykes és 8 hüvelykes N-típusú SiC öntvényei a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás félvezető eszközök sarokkövét jelentik. A kiváló elektromos tulajdonságokkal és hővezető képességgel rendelkező tuskókat úgy alakították ki, hogy támogassák a megbízható és hatékony elektronikus alkatrészek gyártását. Bízzon Semicerában a páratlan minőségben és teljesítményben.


Termék részletek

Termékcímkék

A Semicera 4", 6" és 8" N-típusú SiC tömbjei áttörést jelentenek a félvezető anyagok terén, amelyeket úgy terveztek, hogy megfeleljenek a modern elektronikai és energiaellátó rendszerek növekvő igényeinek. Ezek a tuskók robusztus és stabil alapot biztosítanak a különböző félvezető alkalmazásokhoz, biztosítva az optimális működést. teljesítmény és hosszú élettartam.

N-típusú SiC tömbjeink fejlett gyártási eljárásokkal készülnek, amelyek javítják elektromos vezetőképességüket és hőstabilitásukat. Ez ideálissá teszi őket nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz, például inverterekhez, tranzisztorokhoz és más nagyteljesítményű elektronikai eszközökhöz, ahol a hatékonyság és a megbízhatóság a legfontosabb.

Ezeknek az öntvényeknek a pontos adalékolása biztosítja, hogy egyenletes és megismételhető teljesítményt nyújtsanak. Ez a következetesség kritikus fontosságú a fejlesztők és gyártók számára, akik a technológia határait feszegetik olyan területeken, mint a repülőgépipar, az autóipar és a távközlés. A Semicera SiC tuskói olyan eszközök gyártását teszik lehetővé, amelyek extrém körülmények között is hatékonyan működnek.

A Semicera N-típusú SiC öntvényeinek kiválasztása azt jelenti, hogy olyan anyagokat kell integrálni, amelyek könnyen kezelik a magas hőmérsékletet és a nagy elektromos terhelést. Ezek a tömbök különösen alkalmasak olyan alkatrészek létrehozására, amelyek kiváló hőkezelést és nagyfrekvenciás működést igényelnek, például RF erősítők és teljesítménymodulok.

Azzal, hogy a Semicera 4", 6" és 8" N-típusú SiC öntvényeit választja, egy olyan termékbe fektet be, amely a kivételes anyagtulajdonságokat ötvözi a legmodernebb félvezető technológiák által megkövetelt pontossággal és megbízhatósággal. A Semicera továbbra is vezető szerepet tölt be az iparágban innovatív megoldásokat kínál, amelyek elősegítik az elektronikai eszközgyártás előrehaladását.

Tételek

Termelés

Kutatás

Színlelt

Kristály paraméterek

Politípus

4H

Felületi tájolási hiba

<11-20 >4±0,15°

Elektromos paraméterek

Adalékanyag

n-típusú nitrogén

Ellenállás

0,015-0,025 ohm·cm

Mechanikai paraméterek

Átmérő

150,0±0,2 mm

Vastagság

350±25 μm

Elsődleges lapos tájolás

[1-100]±5°

Elsődleges lapos hossz

47,5±1,5 mm

Másodlagos lakás

Egyik sem

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Íj

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Elülső (Si-felület) érdesség (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Szerkezet

Mikrocső sűrűsége

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Fém szennyeződések

≤5E10 atom/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 e/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Elülső minőség

Elülső

Si

Felületkezelés

Si-face CMP

Részecskék

≤60ea/ostya (méret≥0,3μm)

NA

Karcolások

≤5ea/mm. Összesített hossz ≤ Átmérő

Összesített hossz≤2*Átmérő

NA

Narancsbőr/magok/foltok/csíkok/repedések/szennyeződés

Egyik sem

NA

Élfoszlányok/bemélyedések/törés/hatlaplemezek

Egyik sem

Politípus területek

Egyik sem

Összesített terület ≤ 20%

Összesített terület ≤30%

Elülső lézeres jelölés

Egyik sem

Hátsó minőség

Hátsó befejezés

C-arcú CMP

Karcolások

≤5ea/mm, kumulatív hossz≤2*átmérő

NA

Hátsó hibák (széltöredések/benyomódások)

Egyik sem

Hát érdesség

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Hátsó lézeres jelölés

1 mm (felső éltől)

Él

Él

Letörés

Csomagolás

Csomagolás

Epi-ready vákuum csomagolással

Több ostyás kazettás csomagolás

*Megjegyzések: Az "NA" azt jelenti, hogy nincs kérés A nem említett tételek SEMI-STD-re vonatkozhatnak.

tech_1_2_size
SiC ostyák

  • Előző:
  • Következő: